мы представляем новый процесс интеграции германий с кремний-на-изоляторе (soi). германий имплантируется в soi, который затем окисляется, захватывая германий между двумя оксидными слоями (выращенный оксид и захороненный оксид). при тщательном контроле условий имплантации и окисления этот процесс создает тонкий слой (текущие эксперименты показывают до 20-30 нм) почти чистого германия. слой может быт...
последние обзоры в развитии эпитаксиальных sic-фильмов на si. обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для роста sic-фильмов, и изучаются их преимущества и недостатки. дана основная идея и теоретический фон для нового метода синтеза эпитаксиальных sic-пленок на si. будет показано, что новый метод существенно отличается от классических методов тонкопленочного роста, ...
Ортогональные эксперименты роста пленок GaSb на GaAs подложка были разработаны и выполнены с использованием системы осаждения паров металлов и органических паров низкого давления (LP-MOCVD). Кристалличность и микроструктура полученных пленок были сравнительно проанализированы для достижения оптимальных параметров роста. Было продемонстрировано, что оптимизированная тонкая пленка GaSb имеет узкую п...
Дан обзор последних достижений в выращивании эпитаксиальных пленок SiC на Si. Обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для выращивания пленок SiC, исследуются их преимущества и недостатки. Основная идея и теоретическое обоснование нового метода синтеза эпитаксиальных пленок SiCна Си даются. Будет показано, что новый метод существенно отличается от классических метод...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
