Характеристики пленки SiO2, осажденной на жидкой фазе, GaAs были исследованы. В качестве раствора для роста использовали смесь водных предшественников H2SiF6 и H3BO3. SiO2 на GaAs с обработкой (NH4) 2S показывает хорошие электрические характеристики за счет уменьшения нативных оксидов и пассивации серы. Электрические характеристики дополнительно улучшаются с помощью слоя пассивации ультратонкого Si-интерфейса (Si IPL) от уменьшения пиннинга уровня Ферми и плотности состояния интерфейса. Кроме того, во время осаждения SiO2 HF в растворе роста может одновременно и эффективно удалять нативные оксиды на Si IPL и обеспечивать на нем пассивацию фтора. Обработанный Al / SiO2 / Si IPL / (NH4) 2S GaAs MOS-конденсатор показывает превосходные электрические свойства. Плотность тока утечки может достигать 7,4 × 10-9 и 6,88 × 10-8 А / см2 при ± 2 В. Плотность состояния раздела может достигать 2,11 × 1011 см-2 эВ-1 с низкочастотной дисперсией 8%.
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш сайт:www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам письмо по адресуangel.ye@powerwaywafer.com илиpowerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
