Вступление к германий (Ge) в диоксид титана (TiO2) создает привлекательный полупроводник. Новый полупроводник называется титан-германий (TiO2-Ge). Геометрические точки рассеиваются в искаженной матрице TiO2 TiO2-Ge. Квантовый боровский радиус Ge составляет 24,3 нм, и, следовательно, свойства Ge-точки могут изменяться путем изменения его размера, если он меньше его боровского радиуса из-за эффекта квантового удержания (QCE). Поэтому, просто изменяя концентрацию Ge, морфология TiO2-Ge может варьироваться в широких пределах. Следовательно, оптические, электронные и термические свойства TiO2-Ge могут быть адаптированы. TiO2-Ge становится многообещающим материалом для следующего поколения фотогальванических элементов, а также термоэлектрических устройств. Он также может использоваться для фото-термоэлектрических приложений.
Источник: IOPscience
Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам письмо по адресуangel.ye@powerwaywafer.com илиpowerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
