Мы изучаем процессы роста и релаксации кристаллов Ge, селективно выращенных методом химического осаждения из паровой фазы на отдельно стоящие наностолбики Si(001) шириной 90 нм. Epi-Ge толщиной от 4 до 80 нм был охарактеризован с помощью синхротронной рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии. Мы обнаружили, что напряжение в наноструктурах Ge пластически снимается за счет зарождения дислокаций несоответствия, что приводит к степени релаксации в диапазоне от 50 до 100%. Рост нанокристаллов Ge следует за равновесным кристалломформа заканчивается низкой поверхностной энергией (001) и гранями {113}. Хотя объемы нанокристаллов Ge однородны, их форма неоднородна, а качество кристаллов ограничено объемными дефектами на плоскостях {111}. Это не относится к наноструктурам Ge/Si, подвергнутым термической обработке. Здесь наблюдается улучшенное качество структуры при высоком уровне однородности размера и формы.
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
