Проведена серия экспериментов по восстановлению после удара монокристаллов InSb по осям (100) или (111) до 24 ГПа ударом флайер-пластины. Структуры восстановленных образцов охарактеризованы методом рентгеновской дифракции.(XRD) анализ. Согласно рассчитанным пиковым давлениям и температурам, а также фазовой диаграмме для InSb, образец может претерпевать фазовые переходы из структуры цинковой обманки в фазы высокого давления. Однако рентгенограмма каждого образца соответствовала порошковой картине InSb со структурой цинковой обманки. Рентгенограмма каждого образца показала отсутствие дополнительных компонентов, включая метастабильные фазы и фазы высокого давления InSb, за исключением образцов, подвергшихся ударному воздействию около 16 ГПа. При 16 ГПа помимо структуры цинковой обманки были получены дополнительные пики. Один из этих пиков может соответствовать фазе Cmcm или Immm InSb, а другие пики не идентифицированы.
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
