-
автономный газовый субстрат
pam-xiamen установила технологию изготовления для автономной (галлиево-нитридной) пластины подложки gan, которая предназначена для uhb-led и ld. выращенный методом гидридной парофазной эпитаксии (hvpe), наш газовый субстрат имеет низкую плотность дефектов. -
sic application
благодаря сильным физическим и электронным свойствам устройство на основе карбида кремния хорошо подходит для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационностойких и высокомощных / высокочастотных электронных устройств по сравнению с устройством на основе si и gaas.горячие теги : sic application вафельный чип вафельный тракт диодный диод свойства карбида кремния монокристаллический карбид кремния
-
inp wafer
xiamen powerway предлагает inp wafer - фосфид индия, которые выращивают по lec (жидкий инкапсулированный czochralski) или vgf (вертикальное градиентное замораживание) в виде эпи-готового или механического сорта с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или ( 100).горячие теги : inp wafer inp субстрат пластина фосфида индия фосфидный субстрат цена на дюйм производители фосфида индия
-
встроенная пластина
xiamen powerway предлагает инсультовую антимонид - индия, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).горячие теги : встроенная пластина подложка антимонидная пластина индия антимонидный субстрат индия свойства антимонида индия цена на вкладыш
-
inas wafer
xiamen powerway предлагает ines wafer - арсенид индия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).горячие теги : inas wafer в субстрате пластина арсенида индия субстрат арсенида индия полупроводник из арсенида индия структура арсенида индия
-
газовая плита
xiamen powerway предлагает антимонид гальвы - галлий антимонид, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100)
Контактная информация
+86-592-5601 404