После краткого обзора достижений в подложках GaN с помощью аммонотермического метода и метода потока Na, а также технологии гидридной парофазной эпитаксии (HVPE) мы приводим результаты нашего исследования выращивания толстого слоя GaN с помощью HVPE с модуляцией газового потока, удаления слоя GaN через представлены эффективный процесс самоотделения от сапфировой подложки и изменение однородности роста нескольких пластин. Также обсуждается влияние морфологии поверхности и поведения дефектов на гомоэпитаксиальный рост GaN на отдельно стоящей подложке, а также достижения светодиодов на подложках GaN и перспективы их применения в твердотельном освещении. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Пленки аморфного углерода, легированные кобальтом (aC:Co), осажденные с помощью импульсного лазерного осаждения, демонстрируют pn- и омические контактные характеристики с GaAs n-типа с низким удельным сопротивлением (L-GaAs) и полуизолированным GaAs с высоким удельным сопротивлением (S-GaAs). Фоточувствительность возрастает для aC:Co/L-GaAs, а наоборот уменьшается для гетероперехода aC:Co/S-GaAs соответственно. Кроме того, повышенная фоточувствительность гетероперехода aC:Co/L-GaAs/Ag также демонстрирует зависимость от температуры осаждения, а оптимальная температура осаждения составляет около 500 °C. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Мы успешно произвели и охарактеризовали тонкие монокристаллические пленки Ge на сапфировых подложках (GeOS). Такой шаблон GeOS предлагает экономичную альтернативу объемным германиевым подложкам для приложений, где для работы устройства требуется только тонкий (<2 мкм) слой Ge. Шаблоны GeOS были реализованы с использованием технологии Smart CutTM. Шаблоны GeOS диаметром 100 мм были изготовлены и охарактеризованы для сравнения с тонкой пленкой Ge.свойства с объемным Ge. Были проведены дефектоскопия поверхности, SEM, AFM, травление дефектов, XRD и рамановская спектроскопия. Результаты, полученные для каждого используемого метода характеризации, показали, что свойства материала перенесенной тонкой пленки Ge были очень близки к свойствам эталонного объемного Ge. Эпитаксиальная двойная гетероструктура AlGaInP/GaInP/AlGaInP была выращена поверх шаблона GeOS, чтобы продемонстрировать стабильность шаблона в условиях, встречающихся в типичной реализации устройства. Фотолюминесцентное поведение этой эпитаксиальной структуры было почти таким же, как у аналогичной структуры, выращенной на объемной подложке Ge. Таким образом, шаблоны GeOS предлагают жизнеспособную альтернативу объемным подложкам Ge при изготовлении устройств, работа которых совместима с тонкопленочной структурой. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Зависящие от интенсивности характеристики нелинейного поглощения и преломления кристаллических тонких пленок InSbисследуются методом z-сканирования при длине волны лазера 405 нм. Результаты показывают, что коэффициент нелинейного поглощения тонких кристаллических пленок InSb составляет порядка ~ + 10-2 мВт-1, а нелинейный показатель преломления порядка ~ + 10-9 м2 Вт-1. Измерения эллипсометрической спектроскопии при переменной температуре и анализ электронных процессов, а также теоретические расчеты используются для обсуждения внутренних механизмов, ответственных за гигантскую оптическую нелинейность. Результаты анализа показывают, что нелинейное поглощение в основном связано с индуцированным лазером эффектом поглощения свободных носителей, тогда как нелинейное преломление происходит в основном из-за теплового эффекта из-за уменьшения ширины запрещенной зоны и эффекта носителей из-за процесса перехода электронов, соответственно. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
В данной статье предлагается двухслойный барьерный выпрямитель Шоттки (JBSR) 4H-SiC со встроенным P-слоем (EPL) в дрейфовой области. Структура характеризуется слоем P-типаформируется в дрейфовом слое n-типа в процессе эпитаксиального зарастания. Электрическое поле и распределение потенциала изменяются из-за скрытого P-слоя, что приводит к высокому напряжению пробоя (BV) и низкому удельному сопротивлению в открытом состоянии (Ron,sp). Влияние параметров устройства, таких как глубина встроенных областей P+, пространство между ними и концентрация легирования в дрейфовой области и т. д., на BV и Ron,sp исследуются с помощью моделирования, что дает особенно полезные рекомендации для оптимальная конструкция устройства. Результаты показывают, что BV увеличился на 48,5%, а показатель качества Baliga (BFOM) увеличился на 67,9% по сравнению с обычным 4H-SiC JBSR. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
В попытке создать гетерограницу InP-Si был изучен новый и общий метод, метод гофрированного эпитаксиального бокового наращивания (CELOG) в реакторе гидридной парофазной эпитаксии. Затравочный слой InP на Si(0 0 1) был сформирован в виде близко расположенных вытравленных меза-полосок, обнажая поверхность кремния между ними. Поверхность с полосками мезы напоминает рифленую поверхность. Верх и боковые стенки меза-полосок затем покрывались маской из SiO2, после чего формировались отверстия для линий поверх меза-полосок. На этой гофрированной поверхности осуществлялся рост InP. Показано, что рост InP происходит выборочно из отверстий, а не на открытой поверхности кремния, а постепенно распространяется в стороны, создавая прямой интерфейс с кремнием, отсюда и название CELOG. Мы изучаем поведение роста, используя параметры роста. Боковой рост ограничен граничными плоскостями с высоким индексом {3 3 1} и {2 1 1}. Атомное расположение этих плоскостей, Показано, что зависимое от кристаллографической ориентации включение легирующей примеси и пересыщение газовой фазы влияют на степень латерального роста. Достигается соотношение скорости поперечного и вертикального роста до 3,6. Рентгеноструктурные исследования подтверждают существенное улучшение качества кристаллов CELOG InP по сравнению с затравочным слоем InP. Исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии выявили образование прямой гетерограницы InP–Si с помощью CELOG без прорастающих дислокаций. Хотя показано, что CELOG позволяет избежать дислокаций, которые могут возникнуть из-за большого несоответствия решеток (8%) между InP и Si, в слое можно увидеть дефекты крепления. Они, вероятно, вызваны шероховатостью поверхности кремния или маски SiO2, что, в свою очередь, было бы следствием начальных технологических обработок. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com...
Для оценки свойств переноса заряда выращенных кристаллов CdZnTe с высоким сопротивлением, легированных In/Al, был измерен спектроскопический отклик α-частиц с использованием неколлимированного радиоактивного источника 241Am (5,48 МэВ) при комнатной температуре. Произведения времени жизни подвижности электронов (μτ)e кристаллов CdZnTe были предсказаны путем подгонки графиков зависимости положения фотопика от напряженности электрического поля с использованием уравнения Хехта для одного носителя. Метод TOF был использован для оценки подвижности электронов для кристаллов CdZnTe.. Подвижность была получена путем подгонки скоростей дрейфа электронов в зависимости от напряженности электрического поля, где скорости дрейфа были получены путем анализа распределения времени нарастания импульсов напряжения, формируемых предусилителем. Изготовленный планарный детектор CdZnTe на основе кристалла CdZnTe, легированного индием, с (μτ)e = 2,3 × 10–3 см2/В и μe = 1000 см2/(В точка мс) соответственно, демонстрирует превосходное спектральное разрешение γ-излучения. 6,4% (FWHM = 3,8 кэВ) для неколлимированного изотопа 241Am @ 59,54 кэВ. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Мы провели селективный рост GaN и изготовили МКЯ InGaN/GaN на неполярных и полуполярных объемных подложках GaN методом MOVPE. Исследованы различия в структурах GaN и включения In МКЯ InGaN/GaN, выращенных на неполярных и полуполярных подложках GaN . В случае селективного зонального роста были получены различные структуры GaN на GaN, GaN и подложках GaN.. На GaN появился повторяющийся рисунок и грани. Затем мы изготовили МКЯ InGaN/GaN на фасетных структурах на GaN. Эмиссионные свойства, характеризуемые катодолюминесценцией, различались для граней и . С другой стороны, для МКЯ InGaN/GaN на неполярных и полуполярных подложках GaN с помощью АСМ наблюдались ступеньки вдоль оси a. В частности, на GaN появились ондуляции и группировка волн. Характеристика фотолюминесценции показала, что включение In увеличивалось с отклонением от m-плоскости, а также зависело от полярности. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
