Гомоэпитаксиальные пленки 4H-SiC были выращены на пористых гранях 4H-SiC (0001) с отклонением от оси 8° в диапазоне температур методом химического осаждения из газовой фазы из прекурсора бис(триметилсилил)метана (BTMSM). Энергия активации роста составила 5,6 ккал/моль, что указывает на то, что в росте пленки преобладает механизм, ограниченный диффузией. Треугольные дефекты упаковки были внедрены в тонкую пленку SiC, выращенную при низкой температуре 1280°C, за счет образования политипа 3C-SiC. Кроме того, в пленке SiC, выращенной ниже 1320°C, серьезно проявились сверхвинтовые дислокации. Чистая и невыразительная морфология наблюдалась в пленке SiC, выращенной со скоростью менее 25 стандартных кубических сантиметров в минуту (sccm). скорость потока газа-носителя BTMSM при 1380°C, в то время как политип 3C-SiC с двойными позиционными границами увеличивался при скорости потока 30 см3/мин BTMSM. На плотность дислокаций в эпислое сильно влияли температура роста и скорость течения BTMSM. Анализ рентгеновской дифракции двухосных кристаллов и анализ оптической микроскопии показали, что плотность дислокаций уменьшалась при более высокой температуре роста и более низкой скорости потока BTMSM. Полная ширина на полувысоте кривой качания пленки, выращенной в оптимальных условиях, составила 7,6 угл. с, а в эпислое появляются острые линии свободного экситона и экситона, связанного с Al, что указывает на Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
В течение последнего десятилетия использование слоев и структур из монокристаллического германия (Ge) в сочетании с подложками из кремния (Si) привело к возрождению исследований дефектов Ge. В кристаллах Si легирующие примеси и напряжения влияют на параметры собственных точечных дефектов (вакансии V и собственных междоузлий I ) и, таким образом, изменяют термические равновесные концентрации V и I . Однако управление концентрацией собственных точечных дефектов в кристаллах Ge пока не реализовано на том же уровне, что и в кристаллах Si, из-за отсутствия экспериментальных данных. В этом исследовании мы использовали расчеты теории функционала плотности (DFT) для оценки влияния изотропного внутреннего/внешнего напряжения ( σin / σ ex ) на энтальпию образования ( H f ) нейтральных V и I вокруг атома легирующей примеси (B, Ga, C, Sn и Sb) в Ge и сравнили результаты с результатами для Si. Результаты анализа тройные. Во-первых, H f V ( I ) в совершенном Ge уменьшается (увеличивается) на сжатие σ in , в то время как H f V ( I ) в совершенном Ge увеличивается (уменьшается) на сжатие σ ex, т. е. гидростатическое давление. Воздействие напряжения для совершенных кристаллов Ge больше, чем для совершенных кристаллов Si. Во-вторых, H f V вокруг атомов Sn и Sb уменьшается, а H f I вокруг атомов B, Ga и C уменьшается в кристаллах Ge . Воздействие легирующей примеси на кристаллы Ge меньше, чем на кристаллы Si. В-третьих, сжимающая σ in уменьшает (увеличивает) H f V ( I ) вокруг атома легирующей примеси в кристаллах Ge независимо от типа легирующей примеси, в то время как σ ex оказывает меньшее влияние на H f V иI в легированных кристаллах Ge, чем σ в . Также были оценены термические равновесные концентрации суммы V и I при температуре плавления легированного Ge при термических напряжениях в процессе роста кристалла. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com...
Световое излучение с инжекцией тока было подтверждено для эпитаксии из паровой фазы металлоорганических соединений (MOVPE), выращенных квантовыми точками (Ga)InAs/InP (КТ) на непосредственно связанной подложке InP/Si. Подложка InP/Si была приготовлена путем прямого соединения тонкой пленки InP и подложки Si с использованием процесса влажного травления и отжига. Светодиодная структура p-i-n, включающая КТ Странского-Крастанова (Ga)InAs/InP, была выращена методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке InP/Si. Отслоения связи между Si-подложкой и слоем InP не наблюдалось даже после выращивания MOVPE и работы устройства в условиях непрерывной волны при комнатной температуре. Фотолюминесцентные, вольт-амперные и электролюминесцентные характеристики устройства, выращенного на подложке InP/Si, сравнивали с эталоном, выращенным на подложке InP. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Исследован эпитаксиальный рост GaSb молекулярным пучком с газовым источником. Установлено, что Sb(CH 3 ) 3 эффективно разлагается при температуре крекинг-печи выше 800°C. Показано, что зеркальный эпитаксиальный слой GaSb впервые может быть получен с использованием Sb(CH 3 ) 3 и твердого источника Ga. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Поточное наблюдение и классификация водяных знаков после процесса сушки были исследованы в отношении смачиваемости пластин и применяемых методов сушки. Образование водяных меток наблюдали с помощью системы контроля пластин KLA и сканера частиц на различных гидрофильных и гидрофобных пластинах с рисунком и без него. Пластины формовали и сушили парами изопропилового спирта в зависимости от времени воздействия воздуха. Гидрофильные пластины не оставляли водяных знаков ни при отжиме, ни при сушке паром. Время воздействия воздуха и сухой метод гораздо более чувствительны к гидрофобным поверхностям при создании водяных знаков. После центрифугирования гидрофобных пластин образовалось большое количество водяных знаков независимо от времени воздействия воздуха. Однородно гидрофильные или гидрофобные пластины с рисунком и без него не образовывали водяных знаков после сушки пластин паром. Однако узорчатые пластины как с гидрофобными, так и с гидрофильными участками создавали водяные знаки даже в высушенном паре IPA. Это указывает на то, что смачиваемость и метод сушки пластины играют важную роль в создании водяных знаков наполупроводниковые мокрые процессы. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Хотя эпитаксиальный рост пленок кремния на обеих поверхностях кремниевой пластины (эпи-Si/Si-пластина/эпи-Si) может быть реализован в литейном производстве путем установки определенного количества кремниевых пластин в лодочку в коммерческом специализированном оборудовании для химического осаждения из газовой фазы ( s-CVD), для своего аналога epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC, это не легко реализовать ни в s-CVD, ни легко достичь в обычном оборудовании для химического осаждения из паровой фазы (c-CVD), которое обычно используется для выращивания 3C-SiC на одной поверхности кремниевой пластины (эпи- SiC/Si-вафля). Поскольку рост epi-SiC/Si-пластины/epi-SiC за один прогон более эффективен и ожидается, в этой работе мы продемонстрировали простой метод выращивания epi-SiC/Si-пластины/epi-SiC в c-ССЗ. Пластина Si была отполирована с двух сторон и закреплена в подвесном режиме на токоприемнике в камере c-CVD. Было обнаружено, что гомогенные пленки 3C-SiC(100) выращены гетероэпитаксиально одновременно на обеих поверхностях подвешенной пластины Si(100). Структурные и электрические свойства полученных пленок 3C-SiC на обеих поверхностях были исследованы с помощью SEM, XRD, Raman и JV измерений. Результаты показали, что каждая пленка была однородной и сплошной, с одинаковой тенденцией к небольшому ухудшению качества от внутренней к внешней части пластины. Это указало на возможный способ массового производства высококачественных пленок 3C-SiC на кремниевых пластинах.за один прогон в c-CVD для потенциальных приложений, таких как датчики, с принципом работы, основанным на разности падений напряжения двух встречно-параллельных диодов на эпи-SiC/Si-пластине/epi-SiC, или росте графена из эпи-SiC Шаблоны SiC/Si-wafer/epi-SiC. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com...
Мы изучаем процессы роста и релаксации кристаллов Ge, селективно выращенных методом химического осаждения из паровой фазы на отдельно стоящие наностолбики Si(001) шириной 90 нм. Epi-Ge толщиной от 4 до 80 нм был охарактеризован с помощью синхротронной рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии. Мы обнаружили, что напряжение в наноструктурах Ge пластически снимается за счет зарождения дислокаций несоответствия, что приводит к степени релаксации в диапазоне от 50 до 100%. Рост нанокристаллов Ge следует за равновесным кристалломформа заканчивается низкой поверхностной энергией (001) и гранями {113}. Хотя объемы нанокристаллов Ge однородны, их форма неоднородна, а качество кристаллов ограничено объемными дефектами на плоскостях {111}. Это не относится к наноструктурам Ge/Si, подвергнутым термической обработке. Здесь наблюдается улучшенное качество структуры при высоком уровне однородности размера и формы. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Проведена серия экспериментов по восстановлению после удара монокристаллов InSb по осям (100) или (111) до 24 ГПа ударом флайер-пластины. Структуры восстановленных образцов охарактеризованы методом рентгеновской дифракции.(XRD) анализ. Согласно рассчитанным пиковым давлениям и температурам, а также фазовой диаграмме для InSb, образец может претерпевать фазовые переходы из структуры цинковой обманки в фазы высокого давления. Однако рентгенограмма каждого образца соответствовала порошковой картине InSb со структурой цинковой обманки. Рентгенограмма каждого образца показала отсутствие дополнительных компонентов, включая метастабильные фазы и фазы высокого давления InSb, за исключением образцов, подвергшихся ударному воздействию около 16 ГПа. При 16 ГПа помимо структуры цинковой обманки были получены дополнительные пики. Один из этих пиков может соответствовать фазе Cmcm или Immm InSb, а другие пики не идентифицированы. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
