Методом сублимационной эпитаксии в вакууме выращены высоколегированные слои p-3C–SiC с хорошим кристаллическим совершенством. Анализ спектров фотолюминесценции и температурной зависимости концентрации носителей показывает, что в исследованных образцах существуют как минимум два типа акцепторных центров при ~ E V + 0,25 эВ и при E V + 0,06–0,07 эВ. Сделан вывод о возможности использования таких слоев в качестве p-эмиттеров в устройствах 3C–SiC.
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
