Мы сообщаем об изменениях токов полупроводниковых кристаллов CdZnTe при воздействии ряда светоизлучающих диодов с различными длинами волн в диапазоне от 470 до 950 нм. Обсуждаются изменения стационарного тока одного кристалла CdZnTe с подсветкой и без нее, а также временная зависимость эффектов подсветки. Анализ сброса ловушек и переходных объемных токов во время и после оптического возбуждения дает представление о поведении ловушек заряда внутри кристалла. Аналогичное поведение наблюдается при освещении второго кристалла CdZnTe, что свидетельствует о том, что общие эффекты освещения не зависят от кристалла.
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com