Главная / Новости /

Фотоиндуцированные токи в кристаллах CdZnTe в зависимости от длины волны освещения

Новости

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

Фотоиндуцированные токи в кристаллах CdZnTe в зависимости от длины волны освещения

2019-11-05

Мы сообщаем об изменениях токов полупроводниковых кристаллов CdZnTe при воздействии ряда светоизлучающих диодов с различными длинами волн в диапазоне от 470 до 950 нм. Обсуждаются изменения стационарного тока одного кристалла CdZnTe с подсветкой и без нее, а также временная зависимость эффектов подсветки. Анализ сброса ловушек и переходных объемных токов во время и после оптического возбуждения дает представление о поведении ловушек заряда внутри кристалла. Аналогичное поведение наблюдается при освещении второго кристалла CdZnTe, что свидетельствует о том, что общие эффекты освещения не зависят от кристалла.


Источник: IOPscience

Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , 

отправьте нам электронное письмо по адресу  sales@powerwaywafer.com  или  powerwaymaterial@gmail.com


свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.