Продемонстрирована интеграция полупроводников III-V (например, GaAs и GaN) и КМОП кремний-на-изоляторе (КНИ) на подложке из кремния толщиной 200 мм. Донорская пластина SOI-CMOS временно приклеивается к кремниевой пластине с ручкой и утончается . Затем вторая подложка GaAs/Ge/Si приклеивается к пластине ручки, содержащей КНИ-КМОП. После этого Si с подложки GaAs/Ge/Si удаляют. Подложка GaN/Si затем приклеивается к пластине-ручке, содержащей SOI-GaAs/Ge. Наконец, пластина-ручка высвобождается для реализации гибридной структуры КНИ-GaAs/Ge/GaN/Si на подложке из кремния. С помощью этого метода функциональные возможности используемых материалов могут быть объединены на одной платформе Si. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Методом сублимационной эпитаксии в вакууме выращены высоколегированные слои p-3C–SiC с хорошим кристаллическим совершенством. Анализ спектров фотолюминесценции и температурной зависимости концентрации носителей показывает, что в исследованных образцах существуют как минимум два типа акцепторных центров при ~ E V + 0,25 эВ и при E V + 0,06–0,07 эВ. Сделан вывод о возможности использования таких слоев в качестве p-эмиттеров в устройствах 3C–SiC. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Мы сообщаем об изменениях токов полупроводниковых кристаллов CdZnTe при воздействии ряда светоизлучающих диодов с различными длинами волн в диапазоне от 470 до 950 нм. Обсуждаются изменения стационарного тока одного кристалла CdZnTe с подсветкой и без нее, а также временная зависимость эффектов подсветки. Анализ сброса ловушек и переходных объемных токов во время и после оптического возбуждения дает представление о поведении ловушек заряда внутри кристалла. Аналогичное поведение наблюдается при освещении второго кристалла CdZnTe, что свидетельствует о том, что общие эффекты освещения не зависят от кристалла. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Электрические свойства связанных при комнатной температуре пластин, изготовленных из материалов с различными параметрами решетки, таких как p-GaAs и n-Si, p-GaAs и n-Si [оба с поверхностным слоем оксида индия-олова (ITO)] и n -GaN и p-GaAs. Связанный образец p-GaAs//n-Si показал электрическое сопротивление интерфейса 2,8 × 10 -1 Ом см 2 и показал омические характеристики. Напротив, связанный образец p-GaAs/ITO//ITO/n-Si показал характеристики, подобные Шоттки. Склеенный образец пластины n-GaN//p-GaAs имел омические характеристики с интерфейсным сопротивлением 2,7 Ом· см 2 . Насколько нам известно, это первый зарегистрированный пример связанной пластины GaN/GaAs с низким электрическим сопротивлением. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Параметр решетки Bi 2 Se 3 по оси а практически идентичен периодичности решетки поверхности InP (1 1 1). Следовательно, мы получаем удивительно гладкие слои Bi 2 Se 3 (0 0 0 1) при выращивании методом горячей эпитаксии на подложках InP (1 1 1)B. Согласованная с решеткой периодичность сохраняется в направлениях [1 1 0] и [ ] поверхности (0 0 1). Слои Bi 2 Se 3 , выращенные на подложках InP (0 0 1), демонстрируют 12-кратную симметрию в плоскости, поскольку направление [ ] Bi 2 Se 3 совмещено с любым из двух направлений. Когда подложка InP с ориентацией (1 1 1)s наклонены, в слоях Bi 2 Se 3 (0 0 0 1) обнаружены ступени высотой ~50 нм. Наклон оси Bi 2 Se 3 [0 0 0 1] по отношению к поверхности роста отвечает за создание ступенек. Таким образом, показано, что эпитаксиальный рост имеет место, а не ван-дер-ваальсов рост. Мы отмечаем его последствия для поверхностных состояний топологических изоляторов. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Мы сообщаем о фотодетекторе II типа InAs/GaSb на сверхрешетке с напряженным слоем (SLS) (λ_{\rm cut\hbox{-}off} ~4,3 мкм при 77 K) с конструкцией nBn, выращенной на подложке GaAs с использованием массивов межфазных дислокаций несоответствия для минимизации пронизывающих дислокаций в активной области. При 77 К и приложенном смещении 0,1 В плотность темнового тока равнялась 6 · 10–4 А см–2, а максимальная удельная обнаружительная способность D* оценивалась в 1,2 · 1011 Джонсов (при 0 В). Было обнаружено, что при 293 K значение нулевого смещения D* составляет ~109 Джонсов, что сравнимо с SLS-детектором nBn InAs/GaSb, выращенным на подложке GaSb . Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Процессы прямого склеивания пластин все чаще используются для создания инновационных структур укладки. Многие из них уже реализованы в промышленных приложениях. В этой статье рассматриваются механизмы прямого связывания, недавно разработанные процессы и тенденции. Гомогенные и гетерогенные связанные структуры были успешно получены с использованием различных материалов. Активные, изолирующие или проводящие материалы были широко исследованы. В этой статье дается обзор процессов и механизмов прямого соединения Si и SiO2 , соединения типа кремний-на-изоляторе, укладки различных материалов и переноса устройств. Прямая связь явно способствует появлению и развитию новых приложений, таких как микроэлектроника, микротехнологии , датчики, МЭМ, оптические устройства,биотехнологии и 3D-интеграция. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Новый метод имплантации с использованием последовательной имплантации углерода (C) и бора (B) используется для контроля поперечной и вертикальной диффузии B из области p-базы планарного эпиканального полевого транзистора из карбида кремния (SiC) (ECFET ) . ). Текущие измерения переходной спектроскопии глубоких уровней были выполнены для установления взаимной корреляции между усиленной диффузией B и электрически активными дефектами, введенными последовательной имплантацией C и B. Установлено, что образование уровня глубоких дефектов полностью подавляется при том же соотношении (C:B=10:1), что и для диффузии B в 4H–SiC.. Механизм диффузии, который коррелирует с образованием центра D, был предложен для объяснения экспериментально наблюдаемой усиленной диффузии B. Эффективность метода имплантации C и B в подавлении пинч-эффекта полевого транзистора перехода (JFET) ясно видна из 3-4-кратного увеличения тока стока изготовленного 4H-SiC ECFET для расстояния p-база, которое было уменьшено примерно до 3 мкм. Этот новый метод имплантации, устойчивый к диффузии, открывает двери для большей плотности упаковки за счет уменьшения шага элементарной ячейки для приложений SiC с высокой мощностью. Источник: IOPscience Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
