xiamen powerway предлагает инсультовую антимонид - индия, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).
MOQ :
1xiamen powerway предлагает инсультовую антимонид - индия, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).
антимонид индия (insb) представляет собой кристаллическое соединение, полученное из элементов индия (in) и сурьмы (sb). он представляет собой узкозонный полупроводниковый материал из группы iii-v, используемой в инфракрасных извещателях, включая тепловизионные камеры, флир-системы, инфракрасные системы наведения наведения и инфракрасную астрономию. антимонидные детекторы индия чувствительны между длинами волн 1-5 мкм. антимонид индия был очень распространенным детектором в старых, однодетекторных механически сканированных тепловизионных системах. другое приложение является источником терагерцового излучения, так как оно является сильным эмитентом фотоснимков.
| спецификация пластины | |
| пункт | технические характеристики |
| диаметр пластины | 2" 50,5 ± 0,5 мм 3" 76,2 ± 0,4 мм 4" 1000,0 ± 0,5 мм |
| ориентация кристалла | 2" (111) aorb ± 0,1 ° 3" (111) aorb ± 0,1 ° 4" (111) aorb ± 0,1 ° |
| толщина | 2" 625 ± 25um 3 "800 или 900 ± 25 мкм 4" 1000 ± 25um |
| первичная плоская длина | 2" 16 ± 2 мм 3" 22 ± 2 мм 4" 32,5 ± 2,5 мм |
| вторичная плоская длина | 2" 8 ± 1 мм 3" 11 ± 1 мм 4" 18 ± 1 мм |
| чистота поверхности | p / e, p / p |
| пакет | эпи-готовый контейнер с одной пластиной или кассету cf |
| электрическая и допинговая спецификация | |||||
| тип проводимости | п-типа | п-типа | п-типа | п-типа | р-типа |
| добавка | нелегированный | теллур | низкий теллур | высокий теллур | genmanium |
| e.d.p см -2 | 2 "3" 4" ≤ 50 | 2" ≤ 100 | |||
| мобильность см² v -1 s -1 | ≥ 4 * 105 | ≥ 2,5 * 10 4 | ≥ 2,5 * 105 | не определен | 8000-4000 |
| концентрация носителей см -3 | 5 * 10 13 -3 * 10 14 | ( 1-7 ) * 10 17 | 4 * 10 14 -2 * 10 15 | ≥ 1 * 10 18 | 5 * 10 14 -3 * 10 15 |
xiamen powerway предлагает inp wafer - фосфид индия, которые выращивают по lec (жидкий инкапсулированный czochralski) или vgf (вертикальное градиентное замораживание) в виде эпи-готового или механического сорта с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или ( 100).5
xiamen powerway предлагает ines wafer - арсенид индия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5
Сямынь Powerway предлагает щелевую пластину - фосфид галлия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-тип или полуизоляция в различной ориентации (111) или (100).5
xiamen powerway предлагает антимонид гальвы - галлий антимонид, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100)5
pam-xiamen предлагает фоторезистскую пластину с фоторезистом мы можем предложить нанолитографию (фотолитография): подготовка поверхности, фоторезист, мягкое выпекание, выравнивание, экспозиция, разработка, твердый выпекание, разработка инспекции, травление, удаление фоторезиста (полоска), окончательная проверка.5
xiamen powerway предлагает ines wafer - арсенид индия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5
теллурид кадмия цинка (cdznte или czt) - новый полупроводник, который позволяет эффективно преобразовывать излучение в электрон, он в основном используется в инфракрасной тонкопленочной подложке эпитопа, рентгеновских детекторах и гамма-извещателях, лазерной оптической модуляции, высокоэффективных солнечных элементов и других высокотехнологичных об5
Эпитаксиальная пластина на основе ламината pam-xiamen's (галлиевого нитрида) предназначена для применения в ультра-высокой яркости синего и зеленого светодиодов (светодиодных) и лазерных диодов (ld).5
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
