sic reclaim wafer & обработка
pam-xiamen может предложить следующее Решетчатая пластина Сервисы.
sic reclaim wafer:
pam-xiamen способен через собственные процедуры возврата, чтобы предложить Решетчатая пластина услуги для производителей светодиодов, радиочастотных или силовых устройств. Можно удалить эпи, эпидерми или слоями устройства, а затем отполировать поверхность до состояния готовности epi, которое наши клиенты могут повторить снова, чтобы снизить стоимость. Мы можем даже шероховатость поверхности гарантированности 0,3 нм по требованию заказчика. Каждая пластина на cmp или наклеена или вытравлена для удаления рисунков, царапин и других дефектов. результатом является чистая высококачественная пластина, которая готова к полировке и чистке. по завершении процесса регенерации, чтобы убедиться, что готовые вафли полностью соответствуют стандартам и спецификациям клиентов, мы сделаем окончательную проверку качества перед упаковкой. Мы положили регенерированные пластины в контейнеры. контейнеры с двойным мешком и маркированы. в качестве последнего шага мы предоставляем сертификат соответствия и / или анализа, если необходимо, для проверки качества продукта.
ниже представлено изображение afm после cmp в качестве примера:
подготовка поверхности : pam-xiamen разработал с использованием своего многолетнего опыта в очистке пластин из карбида кремния, который способен доставлять чистое металлическое загрязнение на новых подложках.
мы предоставляем индивидуальную экситаксию тонкой пленки (карбид кремния) на подложках 6h или 4h для разработки устройств из карбида кремния. sic epi wafer в основном используется для диодов Шоттки, полупроводниковых полевых транзисторов с металлическим оксидом, транзисторов с полевым эффектом перехода, биполярных транзисторов, тиристоров, gto и из5
pam-xiamen предлагает полупроводниковые пластины из карбида кремния, 6h sic и 4h sic в разных классах качества для исследователя и промышленными производителями. мы разработали технологию выращивания кристаллов sic и технологию обработки кристаллов sic crystal, установила производственную линию для изготовителя sic-субстрата, который применяется в 5
благодаря сильным физическим и электронным свойствам устройство на основе карбида кремния хорошо подходит для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационностойких и высокомощных / высокочастотных электронных устройств по сравнению с устройством на основе si и gaas.5
pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину
травильная пластина имеет характеристики низкой шероховатости, хорошей глянцевитости и относительно низкой стоимости и непосредственно заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, чтобы снизить затраты. есть пластины с низкой шер5
мы производим различные типы полупроводниковых материалов n-типа с полупроводниковыми материалами типа n-типа, основанные на ga, al, in, as и p, выращенные mbe или mocvd. мы поставляем таможенные структуры для удовлетворения требований заказчика. свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.5
pam-xiamen предлагает полупроводниковые пластины из карбида кремния, 6h sic и 4h sic в разных классах качества для исследователя и промышленными производителями. мы разработали технологию выращивания кристаллов sic и технологию обработки кристаллов sic crystal, установила производственную линию для изготовителя sic-субстрата, который применяется в 5
Сямынь Powerway предлагает щелевую пластину - фосфид галлия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-тип или полуизоляция в различной ориентации (111) или (100).5
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
