субстрат

pam-xiamen предлагает полупроводниковые пластины из карбида кремния, 6h sic и 4h sic в разных классах качества для исследователя и промышленными производителями. мы разработали технологию выращивания кристаллов sic и технологию обработки кристаллов sic crystal, установила производственную линию для изготовителя sic-субстрата, который применяется в gan-эпитаксии, силовых устройствах, высокотемпературное устройство и оптоэлектронные устройства. как профессиональная компания, инвестированная ведущими производителями из областей передовых и высокотехнологичные исследования материалов и государственные институты и китайская полупроводниковая лаборатория, мы посвящаем себя непрерывному улучшить качество существующих субстратов и разработать подложки большого размера.

MOQ :
1

связаться сейчас

информация о продукте

карбид кремния

pam-xiamen предлагает полупроводниковый карбид кремния , 6h sic и 4h sic в разных классах качества для исследователей и производителей. мы разработали технологию выращивания кристаллов sic и технологию обработки кристаллов кристаллов, создали производственную линию для подложки производителя, которая применяется в gan-эпитаксии, силовых устройствах, высокотемпературных устройствах и оптоэлектронных устройствах. как профессиональная компания, инвестированная ведущими производителями из областей передовых и высокотехнологичных исследований материалов и государственных институтов и китайской полупроводниковой лаборатории, мы стремимся постоянно улучшать качество существующих подстанций и разрабатывать подложки большого размера.

здесь показывает подробную спецификацию:

свойства материала карбида кремния

политипа	одномодовый 4h	одномодовый 6h
решетка параметры	a = 3.076 Å	a = 3.073 Å
u0026 ЕПРС;	c = 10,053 Å	c = 15,117 Å
штабелирования последовательность	ABCB	abcacb
ширина зазора	3,26 эв	3.03 ev
плотность	3,21 · 10³ кг / м³	3,21 · 10³ кг / м3
терм. расширение коэффициент	4-5 × 10^-6 / к	4-5 × 10^-6 / к
показатель преломления	нет = 2,719	нет = 2,707
u0026 ЕПРС;	ne = 2,777	ne = 2,755
диэлектрик постоянная	9,6	9,66
тепловой проводимость	490 Вт / мк	490 Вт / мк
сломать электрическое поле	2-4 · 10⁸ в / м	2-4 · 10⁸ в / м
насыщение дрейфа скорость	2,0 · 10⁵ Миз	2,0 · 10⁵ Миз
электрон мобильность	800 см² / об · с	400 см² / об · с
мобильность отверстий	115 см² / об · с	90 см² / об · с
твердость mohs	~ 9	~ 9

6h n-type sic, 2 "спецификация пластины

подложка имущество	s6h-51-н-pwam-250 s6h-51-n-pwam-330 s6h-51-n-pwam-430
описание	a / b производство класс c / d исследовательский класс d манекен класс 6h sic субстрат
политипа	6h
диаметр	(50,8 ± 0,38) мм
толщина	(250 ± 25) мкм (330 ± 25) мкм (430 ± 25) мкм
тип носителя	п-типа
добавка	азот
удельное сопротивление (rt)	0,02 ~ 0,1 Ом · см
поверхность шероховатость	u0026 Lt; 0,5 нм (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 нм (c-образный оптический лак)
FWHM	u0026 л; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec
микротрубка плотность	а + ≤1cm^-2 a≤10 см-2 b≤30 см-2 c≤50 см-2 d≤100 см-2
поверхность ориентация
по оси	u0026 Lt; u0026 0001 GT; ± 0,5 °
осевая ось	3,5 ° в сторону u0026 lt; 11-20 u0026 plusmn; 0,5 u0026 deg;
первичная квартира ориентация	параллельный {1-100} ± 5 °
первичная квартира длина	16,00 ± 1,70 мм
вторичная квартира ориентация	si-face: 90 ° cw. из ориентация плоская ± 5 °
вторичная квартира ориентация	c-face: 90 ° ccw. от горизонтальной ориентации ± 5 °
вторичная квартира длина	8,00 ± 1,70 мм
чистота поверхности	одиночный или двойной лицо полированное
упаковка	одинарная пластинчатая коробка или коробка с несколькими пластинами
полезная площадь	≥ 90%
исключение	1 мм

4h полуизолирующий sic, 2 "спецификация пластины

подложка имущество	s4h-51-си-pwam-250 s4h-51-si-pwam-330 s4h-51-si-pwam-430
описание	a / b производство класс c / d исследовательский класс d фиктивный класс 4h полуподложка
политипа	4h
диаметр	(50,8 ± 0,38) мм
толщина	(250 ± 25) мкм (330 ± 25) мкм (430 ± 25) мкм
удельное сопротивление (rt)	u0026 gt; 1 u0026 bull; 5 Ом · см
поверхность шероховатость	u0026 Lt; 0,5 нм (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 нм (c-образный оптический лак)
FWHM	u0026 л; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec
микротрубка плотность	а + ≤1cm^-2 a≤10 см-2 b≤30 см-2 c≤50 см-2 d≤100 см-2
поверхность ориентация
на ось u0026 lt; 0001 u0026 gt; 0,5 °
от ось 3,5 ° до u0026 lt; 11-20 u0026 plusmn; 0,5 u0026 deg;
первичная квартира ориентация	параллельный {1-100} ± 5 °
первичная квартира длина	16,00 ± 1,70 мм
вторичная квартира ориентация si-face: 90 ° непрерывный режим. от горизонтальной ориентации ± 5 °
c-face: 90 ° ccw. от горизонтальной ориентации ± 5 °
вторичная квартира длина	8,00 ± 1,70 мм
чистота поверхности	одиночный или двойной лицо полированное
упаковка	одинарная пластинчатая коробка или коробка с несколькими пластинами
полезная площадь	≥ 90%
исключение	1 мм

6-ти дюймовый или полуизолирующий сик, 5 мм * 5 мм, 10 мм * 10 мм спецификации пластины: толщина: 330 мкм / 430 мкм

6-дюймовый или полуизолирующий SIC, 15 мм * 15 мм, 20 мм * 20 мм спецификации пластины: толщина: 330 мкм / 430 мкм

4h n-type sic, 2 "спецификация пластины

подложка имущество	s4h-51-n-pwam-330 s4h-51-n-pwam-430
описание	a / b производство класс c / d исследовательский класс d манекен класс 4h sic подложка
политипа	4h
диаметр	(50,8 ± 0,38) мм
толщина	(250 ± 25) мкм (330 ± 25) мкм (430 ± 25) мкм
тип носителя	п-типа
добавка	азот
удельное сопротивление (rt)	0,012 - 0,0028 Ω · см
поверхность шероховатость	u0026 Lt; 0,5 нм (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 нм (c-образный оптический лак)
FWHM	u0026 л; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec
микротрубка плотность	а + ≤1cm^-2 a≤10 см-2 b≤30 см-2 c≤50 см-2 d≤100 см-2
поверхность ориентация		u0026 ЕПРС;
по оси	u0026 Lt; u0026 0001 GT; ± 0,5 °
осевая ось	4 ° или 8 ° в направлении u0026 lt; 11-20 u0026 plusmn; 0,5 u0026 deg;
первичная квартира ориентация	параллельный {1-100} ± 5 °
первичная квартира длина	16,00 ± 1,70) мм
вторичная квартира ориентация	si-face: 90 ° cw. от горизонтальной ориентации ± 5 °
	c-face: 90 ° ccw. от горизонтальной ориентации ± 5 °
вторичная квартира длина	8,00 ± 1,70 мм
чистота поверхности	одиночный или двойной лицо полированное
упаковка	одинарная пластинчатая коробка или коробка с несколькими пластинами
полезная площадь	≥ 90%
исключение	1 мм

4h n-type sic, 3 "спецификация пластины

подложка имущество	s4h-76-n-pwam-330 s4h-76-n-pwam-430
описание	a / b степень производства c / d класс исследования d dummy grade 4h sic подложка
политипа	4h
диаметр	(76,2 ± 0,38) мм
толщина	(350 ± 25) мкм (430 ± 25) мкм
тип носителя	п-типа
добавка	азот
удельное сопротивление (rt)	0,015 - 0.028Ω · см
поверхность шероховатость	u0026 Lt; 0,5 нм (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 нм (c-образный оптический лак)
FWHM	u0026 л; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec
микротрубка плотность	а + ≤1cm^-2 a≤10 см-2 b≤30 см-2 c≤50 см-2 d≤100 см-2
ttv / лук / деформация	u003c 25 мкм
поверхность ориентация
по оси	u0026 Lt; u0026 0001 GT; ± 0,5 °
осевая ось	4 ° или 8 ° в направлении u0026 lt; 11-20 u0026 plusmn; 0,5 u0026 deg;
первичная квартира ориентация	u0026 Lt; 11-20 u0026 GT; ± 5,0 u0026 deg;
первичная квартира длина	22,22 мм ± 3,17 мм
первичная квартира длина	0,875 "± 0,125"
вторичная квартира ориентация	si-face: 90 ° cw. из ориентация плоская ± 5 °
вторичная квартира ориентация	c-face: 90 ° ccw. от горизонтальной ориентации ± 5 °
вторичная квартира длина	11,00 ± 1,70 мм
чистота поверхности	одиночный или двойной лицо полированное
упаковка	одинарная пластинчатая коробка или коробка с несколькими пластинами
царапина	никто
полезная площадь	≥ 90%
исключение	2мм

4-х полуизолирующий сик, 3 "спецификация пластины

подложка имущество	s4h-76-n-pwam-330 s4h-76-n-pwam-430
описание	a / b производство класс c / d исследовательский класс d dummy grade 4h так подложка
политипа	4h
диаметр	(76,2 ± 0,38) мм
толщина	(350 ± 25) мкм (430 ± 25) мкм
тип носителя	полуизолирующих
добавка	v
удельное сопротивление (rt)	u0026 gt; 1 u0026 bull; 5 Ом · см
поверхность шероховатость	u0026 Lt; 0,5 нм (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 нм (c-образный оптический лак)
FWHM	u0026 л; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec
микротрубка плотность	а + ≤1cm^-2 a≤10 см-2 b≤30 см-2 c≤50 см-2 d≤100 см-2
ttv / лук / деформация	u003c 25 мкм
поверхность ориентация
по оси	u0026 Lt; u0026 0001 GT; ± 0,5 °
осевая ось	4 ° или 8 ° в направлении u0026 lt; 11-20 u0026 plusmn; 0,5 u0026 deg;
первичная квартира ориентация	u0026 Lt; 11-20 u0026 GT; ± 5,0 u0026 deg;
первичная квартира длина	22,22 мм ± 3,17 мм
первичная квартира длина	0,875 "± 0,125"
вторичная квартира ориентация	si-face: 90 ° cw. от горизонтальной ориентации ± 5 °
вторичная квартира ориентация	c-face: 90 ° ccw. от горизонтальной ориентации ± 5 °
вторичная квартира длина	11,00 ± 1,70 мм
чистота поверхности	одиночный или двойной лицо полированное
упаковка	одинарная пластинчатая коробка или коробка с несколькими пластинами
царапина	никто
полезная площадь	≥ 90%
исключение	2мм

4h n-type sic, 4 "спецификация пластины

подложка имущество	s4h-100-n-pwam-330 s4h-100-n-pwam-430
описание	a / b производство класс c / d исследовательский класс d манекен класс 4h sic подложка
политипа	4h
диаметр	(100,8 ± 0,38) мм
толщина	(350 ± 25) мкм (430 ± 25) мкм
тип носителя	п-типа
добавка	азот
удельное сопротивление (rt)	0,015 - 0.028Ω · см
поверхность шероховатость	u0026 Lt; 0,5 нм (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 нм (c-образный оптический лак)
FWHM	u0026 л; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec
микротрубка плотность	а + ≤1cm^-2 a≤10 см-2 b≤30 см-2 c≤50 см-2 d≤100 см-2
ttv / лук / деформация	u003c 45 мкм
поверхность ориентация
по оси	u0026 Lt; u0026 0001 GT; ± 0,5 °
осевая ось	4 ° или 8 ° в направлении u0026 lt; 11-20 u0026 plusmn; 0,5 u0026 deg;
первичная квартира ориентация	u0026 Lt; 11-20 u0026 GT; ± 5,0 u0026 deg;
первичная квартира длина	32,50 мм ± 2,00 мм
вторичная квартира ориентация	si-face: 90 ° cw. от горизонтальной ориентации ± 5 °
вторичная квартира ориентация	c-face: 90 ° ccw. от горизонтальной ориентации ± 5 °
вторичная квартира длина	18,00 ± 2,00 мм
чистота поверхности	одиночный или двойной лицо полированное
упаковка	одинарная пластинчатая коробка или коробка с несколькими пластинами
царапина	никто
полезная площадь	≥ 90%
исключение	2мм

4-дюймовый или полуизолирующий сик, 5 мм * 5 мм, 10 мм * 10 мм спецификации пластины: толщина: 330μm / 430μm

4-х дюймовый или полуизолирующий сик, 15мм * 15мм, 20мм * 20мм пластина Спецификация: толщина: 330μm / 430μm

a-plane sic wafer, размер: 40 мм * 10 мм, 30 мм * 10 мм, 20 мм * 10 мм, 10 мм * 10 мм, спецификации ниже:

Толщина слоя 6h / 4h n: 330μm / 430μm или обычная

6х / 4х полуизолирующая толщина: 330 мкм / 430 мкм или обычная

горячие теги : 4h sic 6h sic sic wafer карбид кремния подложка из карбида кремния цена на салфетку

предыдущий:сик-эпитаксия

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.

сопутствующие товары

сик-эпитаксия

мы предоставляем индивидуальную экситаксию тонкой пленки (карбид кремния) на подложках 6h или 4h для разработки устройств из карбида кремния. sic epi wafer в основном используется для диодов Шоттки, полупроводниковых полевых транзисторов с металлическим оксидом, транзисторов с полевым эффектом перехода, биполярных транзисторов, тиристоров, gto и из5

Реставрация

pam-xiamen может предложить следующие услуги по рекуперации.

sic application

благодаря сильным физическим и электронным свойствам устройство на основе карбида кремния хорошо подходит для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационностойких и высокомощных / высокочастотных электронных устройств по сравнению с устройством на основе si и gaas.5

газовая плита

xiamen powerway предлагает антимонид гальвы - галлий антимонид, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100)5

зазоре

Сямынь Powerway предлагает щелевую пластину - фосфид галлия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-тип или полуизоляция в различной ориентации (111) или (100).5

inas wafer

xiamen powerway предлагает ines wafer - арсенид индия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5

inp wafer

xiamen powerway предлагает inp wafer - фосфид индия, которые выращивают по lec (жидкий инкапсулированный czochralski) или vgf (вертикальное градиентное замораживание) в виде эпи-готового или механического сорта с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или ( 100).5

gaas epiwafer

мы производим различные типы полупроводниковых материалов n-типа с полупроводниковыми материалами типа n-типа, основанные на ga, al, in, as и p, выращенные mbe или mocvd. мы поставляем таможенные структуры для удовлетворения требований заказчика. свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.5

что ты ищешь?