кто мы

как ведущий производитель составного полупроводникового материала в Китае. pam-xiamen развивает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, начиная от первого поколения германиевой пластины, арсенида галлия второго поколения с ростом подложки и эпитаксии на полупроводниковых материалах 5
прочитайте больше
после более чем 20-летнего накопления и развития наша компания имеет очевидное преимущество в области технологических инноваций и пула талантов. в будущем нам необходимо ускорить темпы фактических действий, чтобы предоставить клиентам лучшие продукты и услуги
доктор чан -ceo of xiamen powerway advanced material co., ltd

наши продукты

синий лазер

gan шаблоны

Продукты шаблона pam-xiamen состоят из кристаллических слоев нитрида галлия (гана), нитрида алюминия (aln), нитрида алюмини галлия (algan) и нитрида галлия индия (ingan), которые осаждаются на сапфировые подложки, кремниевый карбид или кремний. Продукты шаблона pam-xiamen позволяют сократить время цикла эпитаксии на 20-50% и слоты более высокого ка5

ган на кремнии

автономный газовый субстрат

pam-xiamen установила технологию изготовления для автономной (галлиево-нитридной) пластины подложки gan, которая предназначена для uhb-led и ld. выращенный методом гидридной парофазной эпитаксии (hvpe), наш газовый субстрат имеет низкую плотность дефектов.5

кристалл гааса

газы (арсенид галлия)

pwam разрабатывает и производит составные полупроводниковые подложки - кристалл арсенида галлия и вафли. Мы использовали передовые технологии выращивания кристаллов, технологию вертикальной градиентной заморозки (vgf) и технологии обработки валов gaas, создали производственную линию от роста кристаллов, резки, шлифования до обработки полировки и по5

кристалл

сик-эпитаксия

мы предоставляем индивидуальную экситаксию тонкой пленки (карбид кремния) на подложках 6h или 4h для разработки устройств из карбида кремния. sic epi wafer в основном используется для диодов Шоттки, полупроводниковых полевых транзисторов с металлическим оксидом, транзисторов с полевым эффектом перехода, биполярных транзисторов, тиристоров, gto и из5

кристалл

субстрат

pam-xiamen предлагает полупроводниковые пластины из карбида кремния, 6h sic и 4h sic в разных классах качества для исследователя и промышленными производителями. мы разработали технологию выращивания кристаллов sic и технологию обработки кристаллов sic crystal, установила производственную линию для изготовителя sic-субстрата, который применяется в 5

gan expitaxy

на основе эпитаксиальной пластины

Эпитаксиальная пластина на основе ламината pam-xiamen's (галлиевого нитрида) предназначена для применения в ультра-высокой яркости синего и зеленого светодиодов (светодиодных) и лазерных диодов (ld).5

gan hemt epitaxy

gan hemt эпитаксиальная пластина

нитрид галлия (gan) (транзисторы с высокой электронной подвижностью) являются следующим поколением высокочастотной транзисторной технологии. Благодаря технологии gan, pam-xiamen теперь предлагает epig wafer algan / gan на сапфире или кремнии и шаблон algan / gan на сапфире ,5

кристалл

Реставрация

pam-xiamen может предложить следующие услуги по рекуперации.

почему выбрали нас

  • бесплатная и профессиональная поддержка технологий

    вы можете получить нашу бесплатную техническую услугу от запроса до послепродажного обслуживания на основе нашего 25+ опыта в полупроводниковой линии.

  • хорошее обслуживание продаж

    наша цель - удовлетворить все ваши требования, независимо от того, как небольшие заказы а также как сложные вопросы они могут поддерживать устойчивый и прибыльный рост для каждого клиента через наши квалифицированные продукты и удовлетворительные услуги.5

  • Более 25 лет опыта

    с более чем 25 + лет опыт в области составных полупроводниковых материалов и экспортного бизнеса наша команда может заверить вас, что мы сможем понять ваши требования и профессионально работать с вашим проектом.5

  • надежное качество

    качество - наш первый приоритет. pam-xiamen был iso9001: 2008 , владеет и делит четыре современных фасада, которые могут предоставить довольно большой ассортимент квалифицированных продуктов для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен быть обработан через нашу стр5

«мы используем полиэфирные пластины для некоторых наших работ. Мы очень впечатлены качеством эпи"
james s.speck, отдел материалов университета Калифорнии
2018-01-25
«Дорогие команды pam-xiamen, спасибо за ваше мнение о профессии, проблема решена, мы так рады быть вашим партнером»,
raman k. chauhan, seren photonics
2018-01-25
«спасибо за быстрый ответ на мои вопросы и конкурентоспособную цену, это очень полезно для нас, мы скоро закажем»,
markus sieger, университет ulm
2018-01-25
«Пластины из карбида кремния прибыли сегодня, и мы действительно им довольны! Палец вверх к вашей производственной команде!»
Деннис, университет эксетера
2018-01-25

доверяют нам самые известные в мире университеты и компании

последние новости

Density Functional Theory Calculations of Atomic Configurations and Bandgaps of C-, Ge-, and Sn-Doped Si Crystals for Solar Cells

2020-03-17

Poly-Si crystals are mainly used in solar cells because of their low cost. Here, the zones of sensitivity to wavelengths in sunlight should be expanded to increase the engineering efficiency of solar cells. Group IV compound semiconductors films, e.g., Si (Ge) films doped with C, Ge (C, Si), and/or Sn atoms with contents of several %, on a Si or Ge substrate have been identified as potential solutions to this technical problem. In this study, we calculated the formation energy of each atomic configuration of C, Ge, and Sn atoms in Si by using density functional theory. The "Hakoniwa" method proposed by Kamiyama et al. [Materials Science in Semiconductor Processing, 43, 209 (2016)] was applied to a 64-atom supercell of Si including up to three atoms of C, Ge, and/or Sn (up to 4.56%) in order to obtain the ratio of each atomic configuration and the average value of the Si bandgaps. Not only the conventional generalized gradient approximation (GGA) but also the screened-exchange local-den...

прочитайте больше

Electrical Conductivity of Direct Wafer-Bonded GaAs/GaAs Structures for Wafer-Bonded Tandem Solar Cells

2020-03-09

Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

прочитайте больше

Optical Transmission, Photoluminescence, and Raman Scattering of Porous SiC Prepared from p-Type 6H SiC

2020-03-05

The optical transmission, temperature-dependence of the photoluminescence (PL), and Raman scattering of porous SiC prepared from p-type 6H-SiC are compared with those from bulk p-type 6H-SiC. While the transmission spectrum of bulk SiC at room temperature reveals a relatively sharp edge corresponding to its band gap at 3.03 eV, the transmission edge of porous SiC (PSC) is too wide to determine its band gap. It is believed that this wide edge might be due to surface states in PSC. At room temperature, the PL from PSC is 20 times stronger than that from bulk SiC. The PL PSC spectrum is essentially independent of temperature. The relative intensities of the Raman scattering peaks from PSC are largely independent of the polarization configuration, in contrast to those from bulk SiC, which suggests that the local order is fairly random. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com&...

прочитайте больше

Optical Transmission, Photoluminescence, and Raman Scattering of Porous SiC Prepared from p-Type 6H SiC

2020-03-05

The optical transmission, temperature-dependence of the photoluminescence (PL), and Raman scattering of porous SiC prepared from p-type 6H-SiC are compared with those from bulk p-type 6H-SiC. While the transmission spectrum of bulk SiC at room temperature reveals a relatively sharp edge corresponding to its band gap at 3.03 eV, the transmission edge of porous SiC (PSC) is too wide to determine its band gap. It is believed that this wide edge might be due to surface states in PSC. At room temperature, the PL from PSC is 20 times stronger than that from bulk SiC. The PL PSC spectrum is essentially independent of temperature. The relative intensities of the Raman scattering peaks from PSC are largely independent of the polarization configuration, in contrast to those from bulk SiC, which suggests that the local order is fairly random. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com&...

прочитайте больше

Fabrication of InP/SiO2/Si Substrate using Ion-Cutting Process and Selective Chemical Etching

2020-02-18

In this study, an InP layer was transferred onto a Si substrate coated with a thermal oxide, through a process combining ion-cutting process and selective chemical etching. Compared with conventional ion-cutting of bulk InP wafers, this layer transfer scheme not only takes advantage of ion- cutting by saving the remaining substrates for reuse, but also takes advantage of selective etching to improve the transferred surface conditions without using the chemical and mechanical polishing. An InP/InGaAs/InP heterostructure initially grown by MOCVD was implanted with H+ ions. The implanted heterostructure was bonded to a Si wafer coated with a thermal SiO2 layer. Upon subsequent annealing, the bonded structure exfoliated at the depth around the hydrogen projected range located in the InP substrate. Atomic force microscopy showed that after selective chemical etchings on the as-transferred structure, a final structure of InP/SiO2/Si was obtained with a relatively smooth surface. Source:IOPsc...

прочитайте больше

A review on MBE-grown HgCdSe infrared materials on GaSb (211)B substrates

2020-02-12

We review our recent efforts on developing HgCdSe infrared materials on GaSb substrates via molecular beam epitaxy (MBE) for fabricating next generation infrared detectors with features of lower production cost and larger focal plane array format size. In order to achieve high-quality HgCdSe epilayers, ZnTe buffer layers are grown before growing HgCdSe, and the study of misfit strain in ZnTe buffer layers shows that the thickness of ZnTe buffer layer needs to be below 300 nm in order to minimize the generation of misfit dislocations. The cut-off wavelength/alloy composition of HgCdSe materials can be varied in a wide range by varying the ratio of Se/Cd beam equivalent pressure during the HgCdSe growth. Growth temperature presents significant impact on the material quality of HgCdSe, and lower growth temperature leads to higher material quality for HgCdSe. Typically, long-wave infrared HgCdSe (x=0.18, cut-off wavelength of  at 80 K) presents an electron mobility as high as&nbs...

прочитайте больше

The Electrochemical Society Wet Etching Technology for Semiconductor and Solar Silicon Manufacturing: Part 2 - Process, Equipment and Implementation

2020-01-20

Wet etching is an important step in the manufacturing of semiconductor and solar wafers and for the production of MEMS devices. While it has been replaced by the more precise dry etching technology in advanced semiconductor device fabrication, it still plays an important role in the manufacture of the silicon substrate itself. It is also used for providing stress relief and surface texturing of solar wafers in high volume. The technology of wet etching silicon for semiconductor and solar applications will be reviewed. Impact on this step for wafer properties and critical parameters (flatness, topology and surface roughness for semiconductor wafers, surface texture and reflectance for solar wafers) will be presented. The rationale for the use of a etching technology and etchant for specific applications in semiconductor and solar wafer manufacturing will be presented. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at&nbs...

прочитайте больше

Characterization of 4H-SiC Homoepitaxial Films on Porous 4H-SiC from Bis(trimethylsilyl)methane Precursor

2020-01-13

4H-SiC homoepitaxial films were grown on 8° off-axis porous 4H-SiC (0001) faces in the temperature range of  by chemical vapor deposition from bis(trimethylsilyl)methane (BTMSM) precursor. The activation energy for growth was 5.6 kcal/mol, indicating that the film growth is dominated by the diffusion-limited mechanism. Triangular stacking faults were incorporated in the SiC thin film grown at low temperature of 1280°C due to the formation of 3C-SiC polytype. Moreover, super-screw dislocations appeared seriously in the SiC film grown below 1320°C. Clean and featureless morphology was observed in the SiC film grown below 25 standard cubic centimeters per minute (sccm)  carrier gas flow rate of BTMSM at 1380°C while 3C-SiC polytype with double positioning boundaries grew at 30 sccm flow rate of BTMSM. The dislocation density of the epi layer was strongly influenced by the growth temperature and flow rate of BTMSM. Double axis crystal X-ray diffraction and optical micro...

прочитайте больше

Density Functional Theory Study of the Stress Impact on Formation Enthalpy of Intrinsic Point Defect around Dopant Atom in Ge Crystal

2020-01-07

During the last decade, the use of single crystal germanium (Ge) layers and structures in combination with silicon (Si) substrates has led to a revival of defect research on Ge. In Si crystals, dopants and stresses affect the intrinsic point defect (vacancy V and self-interstitial I) parameters and thus change the thermal equilibrium concentrations of V and I Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

прочитайте больше

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.