Гомоэпитаксиальные пленки 4H-SiC были выращены на пористых гранях 4H-SiC (0001) с отклонением от оси 8° в диапазоне температур методом   химического осаждения из газовой фазы из прекурсора бис(триметилсилил)метана (BTMSM). Энергия активации роста составила 5,6 ккал/моль, что указывает на то, что в росте пленки преобладает механизм, ограниченный диффузией. Треугольные дефекты упаковки были внедрены в тонкую пленку SiC, выращенную при низкой температуре 1280°C, за счет образования политипа 3C-SiC. Кроме того, в пленке SiC, выращенной ниже 1320°C, серьезно проявились сверхвинтовые дислокации. Чистая и невыразительная морфология наблюдалась в пленке SiC, выращенной со скоростью менее 25 стандартных кубических сантиметров в минуту (sccm).  скорость потока газа-носителя BTMSM при 1380°C, в то время как политип 3C-SiC с двойными позиционными границами увеличивался при скорости потока 30 см3/мин BTMSM. На плотность дислокаций в эпислое сильно влияли температура роста и скорость течения BTMSM. Анализ рентгеновской дифракции двухосных кристаллов и анализ оптической микроскопии показали, что плотность дислокаций уменьшалась при более высокой температуре роста и более низкой скорости потока BTMSM. Полная ширина на полувысоте кривой качания пленки, выращенной в оптимальных условиях, составила 7,6 угл. с, а в эпислое появляются острые линии свободного экситона и экситона, связанного с Al, что указывает на 

Источник: IOPscience

Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , 

отправьте нам электронное письмо по адресу  sales@powerwaywafer.com  или  powerwaymaterial@gmail.com