gan hemt эпитаксиальная пластина

2-дюймовые эпитаксиальные пластины

мы предлагаем 2 "gan hemt wafers, структура выглядит следующим образом:

структура (сверху вниз):

* колпачок нелегированный ган (2 ~ 3 нм)

alxga1-xn (18 ~ 40 нм)

aln (буферный слой)

не легированный gan (2 ~ 3um)

сапфировый субстрат

* мы можем использовать si3n для замены gan на вершине, адгезия сильная, она покрыта распылением или pecvd.

альган / gan hemt epi wafer на сапфире / гане

2 ", 4" algan / gan hemt epi wafer on si

1.1. Спецификации для нитрида алюминия нитрида галлия (аганта) / нитрида галлия (гана) с высокой электронной подвижностью (гемта) на кремниевой подложке.

1.2.эпиструктура: трещины без трещин

1.3. Электрические свойства структуры альтана / гана

2deg (при 300 k): ≥1,800 см2 / об.

Плотность носителя 2deg (при 300 k): ≥ 0,9 × 1013 см-2

rms шероховатость (afm): ≤ 0,5 нм (область сканирования 5,0 мкм × 5,0 мкм)

2 "algan / gan на сапфире

для спецификации algan / gan по шаблону сапфира, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж: sales@powerwaywafer.com.

применение: используется в синих лазерных диодах, ультрафиолетовых светодиодах (до 250 нм) и устройстве агана / гана.

объяснение альтана / аль / гана:

нитридные гемты интенсивно развиваются для мощной электроники в высокочастотных усилителях и приложениях переключения мощности. часто при работе с геттом теряется высокая производительность при работе на постоянном токе - например, при подаче сигнала затвора происходит сбой. считается, что такие эффекты связаны с захватом заряда, который маскирует эффект затвора на потоке тока. полевые пластины на электродах источника и затвора использовались для управления электрическим полем в устройстве, смягчая такие явления течения коллапса.

gan epitaxialtechnology - индивидуальная gan-эпитаксия на основе sic, si и сапфира для гвоздиков, светодиодов:

относящаяся к классификации:

algan / gan hemt, диаграмма зонда агана / гана, биосенсор на основе агана / гана на основе гена, альянс gan hemt phd, сенсоры на основе агана / гана на основе гемата, надежность агана / гана, альтан-ган с 300-ghz, algan gan гетт обзор устройства, характеристика альган-ган-гемта, альган-гэн-гетты с задним барьером на основе ина, альн / ганом, альганом / альн / ганом, анналом / альн / ганом, альн-пассивацией gan hemt.