fz полированные пластины, в основном для производства кремниевого выпрямителя (sr), кремниевого выпрямителя (scr), гигантского транзистора (гтп), тиристорного (gro)
полированная пластина
фз полированные вафли , главным образом для производства кремниевого выпрямителя (sr), кремниевого выпрямителя (scr), гигантского транзистора (гтп), тиристорного (gro)
наши преимущества с первого взгляда
1. усовершенствованное оборудование для выращивания эпитаксии и испытательное оборудование.
2. Предлагайте высочайшее качество с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности.
Поддержка поддержки и поддержки исследовательской группы 3.strong для наших клиентов
Технические характеристики fz отполированных вафель
|
тип |
тип проводимости |
ориентация |
диаметр (мм) |
удельное сопротивление объем (Ω см) |
геометрический зернистость параметров, поверхностный металл |
|
фз |
п u0026 амп; р |
u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT; |
76.2-200 |
u0026 GT; 1000 |
T ≥ 260 ( гм ) TTV ≤ 2 ( гм ) гроза с дождем ≤ 2 ( гм ) размешать ≤ 1 ( гм ) (20 * 20) зернистость ≤ 10 шт( ≥ 0,3 мкм), ≤ 20шт ( ≥ 0.2um) поверхностный металл ≤ 5e10 / см 2 bsd: плотность etchpit u0026 gt; 1e106 штук /см 2 поли: 5000-12000 a |
|
ntdfz |
N |
u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT; |
76.2-200 |
30-800 |
|
|
CFZ |
п u0026 амп; р |
u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT; |
76.2-200 |
1-50 |
|
|
gdfz |
п u0026 амп; р |
u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT; |
76.2-200 |
0.001-300 |
cz полированные спецификации вафель
тип
тип проводимости
ориентация
диаметр Объем (мм)
удельное сопротивление объем (Ω см)
геометрический зернистость параметров, поверхностный металл
MCZ
п u0026 амп; р
u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 Л; 110 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;
76.2-200
1-300
T ≥ 260 ( гм ) TTV ≤ 2 ( гм ) гроза с дождем ≤ 2 ( гм ) размешать ≤ 1 ( гм ) (20 * 20) зернистость ≤ 10 шт( ≥ 0.3um) , ≤ 20шт ( ≥ 0.2um) поверхностный металл ≤ 5e10 / см 2 bsd: плотность etchpit u0026 gt; 1e10 6шт /см 2 LTO: 3500 ~ 8000 ± 250а
CZ
п u0026 амп; р
u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 Л; 110 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;
76.2-200
1-300
mcz тяжело легированный
п u0026 амп; р
u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;
76.2-200
0,001-1
FZ-кремний моноплан кремний с характеристиками с низким содержанием инородных материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой образуется с процессом с плавающей зоной; во время роста кристалла не вводится посторонний материал. удельная проводимость fz-кремния обычно превышает 1000 Ом-см, а fz-кремний в основном использ5
pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину
CZ-кремний сильнокристаллический кремний cz cly / легко легированный, подходит для производства различных интегральных схем (IC), диодов, триодов, солнечной панели с зеленой энергией. могут быть добавлены специальные элементы (такие как ga, ge) для создания высокоэффективных, радиационно-стойких и антидегенерирующих солнечных элементов для специаль5
кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированной однослойной кристаллической кремниевой пластины, но для этого требуется буферный слой (так5
травильная пластина имеет характеристики низкой шероховатости, хорошей глянцевитости и относительно низкой стоимости и непосредственно заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, чтобы снизить затраты. есть пластины с низкой шер5
xiamen powerway предлагает inp wafer - фосфид индия, которые выращивают по lec (жидкий инкапсулированный czochralski) или vgf (вертикальное градиентное замораживание) в виде эпи-готового или механического сорта с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или ( 100).5
нитрид галлия (gan) (транзисторы с высокой электронной подвижностью) являются следующим поколением высокочастотной транзисторной технологии. Благодаря технологии gan, pam-xiamen теперь предлагает epig wafer algan / gan на сапфире или кремнии и шаблон algan / gan на сапфире ,5
Предложения pam-xiamen фотошаблонов фотомаска - это тонкое покрытие маскирующего материала, поддерживаемого более толстой подложкой, и маскирующий материал в разной степени поглощает свет и может быть выполнен с использованием индивидуального дизайна. шаблон используется для модуляции света и передачи картины через процесс фотолитографии, который я5
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
