Главная / продукты / германиевая пластина /

ge (германий) монокристаллы и вафли

продукты

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

ge (германий) монокристаллы и вафли

ge (германий) монокристаллы и вафли

pam предлагает полупроводниковые материалы, монокристаллическую (ge) германиевую пластину, выращенную vgf / lec

  • MOQ :

    1
  • информация о продукте


монокристалл (ge) германиевая пластина


pam предлагает полупроводниковые материалы, ge (германий) монокристаллы и вафли выращенный vgf / lec

общие свойства пластины германия


Генеральная  структура свойств

кубический, a =  5,6754 Å

плотность: 5,765  г / см3

плавление  точка: 937,4 oc

тепловой  проводимость: 640

рост кристаллов  технологии

Чохральского

легирование  доступный

нелегированный

допинг sb

легирования или  Джорджия

проводящий тип

/

N

п

удельное сопротивление, Ом

u0026 GT; 35

u0026 Lt; 0,05

0,05 - 0,1

EPD

u0026 Lt; 5x10 3 /см 2

u0026 Lt; 5x10 3 /см 2

u0026 Lt; 5x10 3 /см 2

u0026 Lt; 5x10 2 /см 2

u0026 Lt; 5x10 2 /см 2

u0026 Lt; 5x10 2 /см 2

сортов и применение германиевой пластины

электронный класс

используется для диодов  и транзисторы,

инфракрасный или  опиатный класс

используется для ir  оптическое окно или диски, опиментальные компоненты

класс клеток

используется для подложек  солнечная батарея


стандартные характеристики кристалла германия и пластины

кристалл  ориентация

u0026 Л; 111 u0026 GT;, u0026 л; 100 u0026 GT;  и u0026 lt; 110 u0026 gt; ± 0,5 о или пользовательская ориентация

хрустальная буля как  взрослый

1 "~  6 "диаметр х 200 мм длина

стандартный пробел  как вырезать

1 "x 0,5 мм

2" x0.6mm

4" x0.7mm

5 "u0026 амп; 6" x0.8mm

стандарт  полированная пластина (одна / две стороны полированная)

1 "x 0,30 мм

2" x0.5mm

4" x0.5mm

5 "u0026 амп; 6" x0.6mm

специальный размер и ориентация доступны по запрошенным вафлям


спецификация германиевой пластины

пункт

технические характеристики

замечания

метод роста

VGF

тип проводимости

n-type, p-тип,  нелегированный

добавка

галлий или  сурьма

вафельный диаметр

2, 3,4 & 6

дюймовый

кристалл  ориентация

(100), (111), (110)

толщина

200 ~ 550

гм

из

ej или us

перевозчик  концентрация

запросить  клиенты

u0026 ЕПРС;

удельное сопротивление при  к.т.

(0,001 ~ 80)

ohm.cm

плотность травильной ямы

u0026 Л; 5000

/ см2

лазерная маркировка

по требованию

чистота поверхности

p / e или p / p

epi ready

да

пакет

одиночная пластина  контейнер или кассета

u0026 ЕПРС;


4-дюймовая пластина  Спецификация

для солнечные батареи

u0026 ЕПРС;

легирование

п

u0026 ЕПРС;

легирование  вещества

GE-га

u0026 ЕПРС;

диаметр

100 ± 0,25  мм

u0026 ЕПРС;

ориентация

(100) 9 ° off  в направлении u0026 lt; 111 u0026 plusmn; 0,5

от ориентации  угол наклона

н /

u0026 ЕПРС;

первичная квартира  ориентация

н /

u0026 ЕПРС;

первичная квартира  длина

32 ± 1

мм

вторичная квартира  ориентация

н /

u0026 ЕПРС;

вторичная квартира  длина

н /

мм

куб.см

(0.26-2.24) е18

/c.c

удельное сопротивление

(0.74-2.81) е-2

ohm.cm

электрон  мобильность

382-865

см2 / v.s.

EPD

u0026 Л; 300

/ см2

лазерная метка

н /

u0026 ЕПРС;

толщина

175 ± 10

мкм

TTV

u003c 15

мкм

гроза с дождем

н /

мкм

лук

u0026 Л; 10

мкм

деформироваться

u003c 10

мкм

передняя сторона

полированный

u0026 ЕПРС;

задняя сторона

земля

u0026 ЕПРС;

процесс пластинки германия


в процессе производства пластин германия двуокись германия из обработки остатков дополнительно очищается на стадиях хлорирования и гидролиза.

1) высокочистый германий получается при очистке зоны.


2) кристалл германия образуется через чохральский процесс.


3) германиевая пластина изготавливается с помощью нескольких операций резания, шлифования и травления.


4) вафли очищаются и проверяются. во время этого процесса вафли имеют одностороннюю полировку или двойную сторону, полированную в соответствии с пользовательскими требованиями, наступает эпопея.


5) вафли упаковываются в контейнеры с одной пластиной в атмосфере азота.


заявление:

заготовка или окно германия используются в решениях для ночного видения и термографических изображений для коммерческой безопасности, пожаротушения и промышленного мониторинга. Кроме того, они используются в качестве фильтров для аналитического и измерительного оборудования, окон для дистанционного измерения температуры и зеркал для лазеров.

тонкие германиевые подложки используются в солнечных элементах с тройным соединением iii-v и в системах с высокой концентрацией pv (cpv).

горячие теги :

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.

сопутствующие товары

gan hemt epitaxy

gan hemt эпитаксиальная пластина

нитрид галлия (gan) (транзисторы с высокой электронной подвижностью) являются следующим поколением высокочастотной транзисторной технологии. Благодаря технологии gan, pam-xiamen теперь предлагает epig wafer algan / gan на сапфире или кремнии и шаблон algan / gan на сапфире ,5

кремниевая пластина

тестовая пластина

pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину

синий лазер

gan шаблоны

Продукты шаблона pam-xiamen состоят из кристаллических слоев нитрида галлия (гана), нитрида алюминия (aln), нитрида алюмини галлия (algan) и нитрида галлия индия (ingan), которые осаждаются на сапфировые подложки, кремниевый карбид или кремний. Продукты шаблона pam-xiamen позволяют сократить время цикла эпитаксии на 20-50% и слоты более высокого ка5

ган на кремнии

автономный газовый субстрат

pam-xiamen установила технологию изготовления для автономной (галлиево-нитридной) пластины подложки gan, которая предназначена для uhb-led и ld. выращенный методом гидридной парофазной эпитаксии (hvpe), наш газовый субстрат имеет низкую плотность дефектов.5

кремниевая эпитаксия

эпитаксиальная кремниевая пластина

кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированной однослойной кристаллической кремниевой пластины, но для этого требуется буферный слой (так5

gan expitaxy

на основе эпитаксиальной пластины

Эпитаксиальная пластина на основе ламината pam-xiamen's (галлиевого нитрида) предназначена для применения в ультра-высокой яркости синего и зеленого светодиодов (светодиодных) и лазерных диодов (ld).5

в субстрате

inas wafer

xiamen powerway предлагает ines wafer - арсенид индия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5

литография

Нанофабрикация

pam-xiamen предлагает фоторезистскую пластину с фоторезистом мы можем предложить нанолитографию (фотолитография): подготовка поверхности, фоторезист, мягкое выпекание, выравнивание, экспозиция, разработка, твердый выпекание, разработка инспекции, травление, удаление фоторезиста (полоска), окончательная проверка.5

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.