эпитаксиальная кремниевая пластина

кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированной однослойной кристаллической кремниевой пластины, но для этого требуется буферный слой (такой как оксид или поли-си) между объемной подложкой si и верхним эпитаксиальным слоем)

связаться сейчас

информация о продукте

эпитаксиальная кремниевая пластина

кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, осажденного на монокристалл кремниевая пластина (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированного однокристаллического кремниевая пластина , но для этого необходим буферный слой (такой как оксид или поли-си) между объемной подложкой si и верхним эпитаксиальным слоем)

эпитаксиальный слой может быть легирован, когда он осаждается, до точной концентрации легирования, продолжая кристаллическую структуру субстрата.

Эпиляторное сопротивление: u0026 lt; 1 Ом-см до 150 Ом-см

толщина эпилятора: 1 мкм до 150 мкм

структура: n / n +, n- / n / n +, n / p / n +, n / n + / p-, n / p / p +, p / p +, p- / p / p +.

Применение пластин: цифровое, линейное, силовое, mos, bicmos.

наши преимущества с первого взгляда

1. усовершенствованное оборудование для выращивания эпитаксии и испытательное оборудование.

2. Предлагайте высочайшее качество с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности.

Поддержка поддержки и поддержки исследовательской группы 3.strong для наших клиентов

6 "спецификации пластины:

пункт	u0026 ЕПРС;	Спецификация
подложка	sub spec no.	u0026 ЕПРС;
	рост слитков метод	CZ
	проводимость тип	N
	добавка	в виде
	ориентация	(100) ± 0,5 °
	удельное сопротивление	≤ 0.005ohm.cm
	RRG	≤ 15%
	[oi] контент	8 ~ 18 ppma
	диаметр	150 ± 0,2 мм
	первичная квартира длина	55 ~ 60 мм
	первичная квартира место нахождения	{110} ± 1 °
	во-вторых, квартира длина	пол
	во-вторых, квартира место нахождения	пол
	толщина	625 ± 15 мкм
	задняя сторона характеристики:	u0026 ЕПРС;
	1 , BSD / поли-си (а)	1.bsd
	2 , sio2	2.lto: 5000 ± 500 a
	3 , исключение	3.ee:?0.6 мм
	лазерная маркировка	никто
	передняя поверхность	зеркальный полированный
эпи	состав	п / п +
	добавка	фос
	толщина	3 ± 0,2 мкм
	thk.uniformity	≤ 5%
	измерение должность	центр (1 pt) 10 мм от края (4 точки при 90 градусов)
	расчет	[Tmax-Tmin] ÷ [[Tmax + Tmin] х 100%
	удельное сопротивление	2,5 ± 0,2 Ом · см
	res.uniformity	≤ 5%
	измерение должность	центр (1 pt) 10 мм от края (4 точки при 90 градусов)
	расчет	[Rmax-Rmin] ÷ [[Rmax + Rmin] х 100%
	ошибка стека плотность	≤ 2 ( еа / см2 )
	мгла	никто
	царапины	никто
	кратеры , апельсиновая корка ,	никто
	краевая крона	≤ Толщина 1/3 epi
	скольжения (мм)	Общая длина ≤ 1dia
	инородное вещество	никто
	задняя поверхность загрязнение	никто
	общая точка дефекты (частицы)	≤ 30@0.3um

горячие теги : эпи-кремниевая пластина эпитаксиальная кремниевая пластина производители эпитаксиальных пластин производитель epi wafer кремний на изоляторе

предыдущий:полированная пластина
следующий :
cz монокристаллический кремний

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.

сопутствующие товары

монокристаллический кремний с плавающей зоной

FZ-кремний моноплан кремний с характеристиками с низким содержанием инородных материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой образуется с процессом с плавающей зоной; во время роста кристалла не вводится посторонний материал. удельная проводимость fz-кремния обычно превышает 1000 Ом-см, а fz-кремний в основном использ5

тестовая пластина

pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину

cz монокристаллический кремний

CZ-кремний сильнокристаллический кремний cz cly / легко легированный, подходит для производства различных интегральных схем (IC), диодов, триодов, солнечной панели с зеленой энергией. могут быть добавлены специальные элементы (такие как ga, ge) для создания высокоэффективных, радиационно-стойких и антидегенерирующих солнечных элементов для специаль5

полированная пластина

fz полированные пластины, в основном для производства кремниевого выпрямителя (sr), кремниевого выпрямителя (scr), гигантского транзистора (гтп), тиристорного (gro)

травильная пластина

травильная пластина имеет характеристики низкой шероховатости, хорошей глянцевитости и относительно низкой стоимости и непосредственно заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, чтобы снизить затраты. есть пластины с низкой шер5

sic application

благодаря сильным физическим и электронным свойствам устройство на основе карбида кремния хорошо подходит для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационностойких и высокомощных / высокочастотных электронных устройств по сравнению с устройством на основе si и gaas.5

cz монокристаллический кремний

gaas epiwafer

мы производим различные типы полупроводниковых материалов n-типа с полупроводниковыми материалами типа n-типа, основанные на ga, al, in, as и p, выращенные mbe или mocvd. мы поставляем таможенные структуры для удовлетворения требований заказчика. свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.5

что ты ищешь?