xiamen powerway предлагает антимонид гальвы - галлий антимонид, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100)
MOQ :
1xiamen powerway предлагает газовую пластину - антимонид галлия, которые выращены на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).
антимонид галлия (gasb) представляет собой полупроводниковое соединение галлия и сурьмы семейства iii-v. он имеет постоянную решетки около 0,61 нм. gasb может использоваться для инфракрасных детекторов, инфракрасные светодиоды и лазеры и транзисторы, а также термофотоэлектрические системы.
спецификация пластины
пункт
технические характеристики
диаметр пластины
2" 50,5 ± 0,5 мм
3" 76,2 ± 0,4 мм
4" 1000,0 ± 0,5 мм
ориентация кристалла
(100) ± 0,1 °
толщина
2" 500 ± 25um
3 "625 ± 25 мкм
4" 1000 ± 25um
первичная плоская длина
2" 16 ± 2 мм
3" 22 ± 2 мм
4" 32,5 ± 2,5 мм
вторичная плоская длина
2" 8 ± 1 мм
3" 11 ± 1 мм
4" 18 ± 1 мм
чистота поверхности
p / e, p / p
пакет
эпи-готовый контейнер с одной пластиной или кассету cf
| электрическая и допинговая спецификация | |||||
| тип проводимости | р-типа | р-типа | п-типа | п-типа | п-типа |
| добавка | нелегированный | цинк | теллур | низкий теллур | высокий теллур |
| e.d.p см -2 | 2" ≤ 2000 3" ≤ 5000 |
2" ≤ 2000 3" ≤ 5000 |
2" , 3" ≤ 1000 4" ≤ 2000 |
2" ≤ 1000 3" , 4" ≤ 2000 |
2, "3", 4" ≤ 500 |
| мобильность см² v -1 s -1 | ≥500 | 450-200 | 3500-2000 | 3500-2000 | 3500-2000 |
| концентрация носителей см -3 | ≤ 2 * 10 17 | ≥ 1 * 10 18 | ( 91-900 ) * 10 17 | ≤ 2 * 10 17 |
≥ 5 * 10 17 |
xiamen powerway предлагает инсультовую антимонид - индия, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5
xiamen powerway предлагает inp wafer - фосфид индия, которые выращивают по lec (жидкий инкапсулированный czochralski) или vgf (вертикальное градиентное замораживание) в виде эпи-готового или механического сорта с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или ( 100).5
xiamen powerway предлагает ines wafer - арсенид индия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5
Сямынь Powerway предлагает щелевую пластину - фосфид галлия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-тип или полуизоляция в различной ориентации (111) или (100).5
pam-xiamen предлагает полупроводниковые пластины из карбида кремния, 6h sic и 4h sic в разных классах качества для исследователя и промышленными производителями. мы разработали технологию выращивания кристаллов sic и технологию обработки кристаллов sic crystal, установила производственную линию для изготовителя sic-субстрата, который применяется в 5
pam предлагает полупроводниковые материалы, монокристаллическую (ge) германиевую пластину, выращенную vgf / lec
Продукты шаблона pam-xiamen состоят из кристаллических слоев нитрида галлия (гана), нитрида алюминия (aln), нитрида алюмини галлия (algan) и нитрида галлия индия (ingan), которые осаждаются на сапфировые подложки, кремниевый карбид или кремний. Продукты шаблона pam-xiamen позволяют сократить время цикла эпитаксии на 20-50% и слоты более высокого ка5
кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированной однослойной кристаллической кремниевой пластины, но для этого требуется буферный слой (так5
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
