xiamen powerway предлагает антимонид гальвы - галлий антимонид, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100)
MOQ :
1xiamen powerway предлагает газовую пластину - антимонид галлия, которые выращены на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).
антимонид галлия (gasb) представляет собой полупроводниковое соединение галлия и сурьмы семейства iii-v. он имеет постоянную решетки около 0,61 нм. gasb может использоваться для инфракрасных детекторов, инфракрасные светодиоды и лазеры и транзисторы, а также термофотоэлектрические системы.
спецификация пластины
пункт
технические характеристики
диаметр пластины
2" 50,5 ± 0,5 мм
3" 76,2 ± 0,4 мм
4" 1000,0 ± 0,5 мм
ориентация кристалла
(100) ± 0,1 °
толщина
2" 500 ± 25um
3 "625 ± 25 мкм
4" 1000 ± 25um
первичная плоская длина
2" 16 ± 2 мм
3" 22 ± 2 мм
4" 32,5 ± 2,5 мм
вторичная плоская длина
2" 8 ± 1 мм
3" 11 ± 1 мм
4" 18 ± 1 мм
чистота поверхности
p / e, p / p
пакет
эпи-готовый контейнер с одной пластиной или кассету cf
| электрическая и допинговая спецификация | |||||
| тип проводимости | р-типа | р-типа | п-типа | п-типа | п-типа |
| добавка | нелегированный | цинк | теллур | низкий теллур | высокий теллур |
| e.d.p см -2 | 2" ≤ 2000 3" ≤ 5000 |
2" ≤ 2000 3" ≤ 5000 |
2" , 3" ≤ 1000 4" ≤ 2000 |
2" ≤ 1000 3" , 4" ≤ 2000 |
2, "3", 4" ≤ 500 |
| мобильность см² v -1 s -1 | ≥500 | 450-200 | 3500-2000 | 3500-2000 | 3500-2000 |
| концентрация носителей см -3 | ≤ 2 * 10 17 | ≥ 1 * 10 18 | ( 91-900 ) * 10 17 | ≤ 2 * 10 17 |
≥ 5 * 10 17 |
xiamen powerway предлагает инсультовую антимонид - индия, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5
xiamen powerway предлагает inp wafer - фосфид индия, которые выращивают по lec (жидкий инкапсулированный czochralski) или vgf (вертикальное градиентное замораживание) в виде эпи-готового или механического сорта с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или ( 100).5
xiamen powerway предлагает ines wafer - арсенид индия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5
Сямынь Powerway предлагает щелевую пластину - фосфид галлия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-тип или полуизоляция в различной ориентации (111) или (100).5
pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину
CZ-кремний сильнокристаллический кремний cz cly / легко легированный, подходит для производства различных интегральных схем (IC), диодов, триодов, солнечной панели с зеленой энергией. могут быть добавлены специальные элементы (такие как ga, ge) для создания высокоэффективных, радиационно-стойких и антидегенерирующих солнечных элементов для специаль5
pam-xiamen предлагает фоторезистскую пластину с фоторезистом мы можем предложить нанолитографию (фотолитография): подготовка поверхности, фоторезист, мягкое выпекание, выравнивание, экспозиция, разработка, твердый выпекание, разработка инспекции, травление, удаление фоторезиста (полоска), окончательная проверка.5
кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированной однослойной кристаллической кремниевой пластины, но для этого требуется буферный слой (так5
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
