Главная / Новости /

связывающие характеристики 3c-sic-пластин с фтористоводородной кислотой для высокотемпературных мембранных приложений

Новости

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

связывающие характеристики 3c-sic-пластин с фтористоводородной кислотой для высокотемпературных мембранных приложений

2017-12-07

в этой статье описываются склеивающие характеристики 3c-sic-пластин, использующих плазменную химическую обработку осаждением из паровой фазы (печеной) и фтористоводородной кислотой (hf) для структур сик-на-изоляторе (сикои) и высокотемпературных микроэлектромеханических систем (мем.). в этой работе изотермические слои были сформированы на гетероэпитаксиальной 3c-sic-пленке, выращенной на пластине si (0 0 1) путем термического мокрого окисления и последующего процесса. предварительное связывание двух полированных слоев оксида железа было получено под определенным давлением после обработки активации гидрофильной поверхности в hf. процессы связывания проводились при различной концентрации hf и внешнем приложенном давлении. характеристики склеивания оценивали по влиянию концентрации hf, используемой при обработке поверхности, на шероховатость оксида и прочность сцепления соответственно. гидрофильный характер окисленной поверхности 3c-sic пленки был исследован с помощью аттенюированной инфракрасной спектроскопии с отраженным полным отражением (atr-ftir). среднеквадратичная (среднеквадратичная) шероховатость поверхности окисленных 3c-sic слоев измерялась атомно-силовым микроскопом (afm). прочность связующей пластины измерялась измерителем прочности на растяжение (tsm). связанный интерфейс также анализировали с помощью сканирующего электронного микроскопа (sem). значения прочности связи составляли от 0,52 до 1,52 МПа в соответствии с концентрациями hf без внешней приложенной нагрузки в процессе предварительной склеивания. прочность связи сначала увеличивается с увеличением концентрации hf и достигает максимума при 2,0% концентрации hf, а затем уменьшается. следовательно, низкотемпературная технология склеивания 3c-sic-пластин с использованием слоя оксида pecvd и hf может применяться в качестве процесса изготовления высококачественных субстратов для высокопроизводительных электронных устройств и приложений жесткой среды.


ключевые слова

3c-СИК; вафельное соединение; гексил оксид; ВЧ; высокая температура; MEMS


Источник: ScienceDirect


Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт : www.powerwaywafer.com , отправьте нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com ,


свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.