SiC 4H,6H,Wafer SpecificationXiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd.

что ты ищешь?

luna@powerwaywafer.com

powerwaymaterial@gmail.com

Главная / sic 4h, 6h, спецификация пластины /

SiC 4H,6H,Wafer Specification

sic 4h, 6h, спецификация пластины

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

Теория функционала плотности Расчеты атомных конфигураций и ширины запрещенной зоны кристаллов Si, легированных C, Ge и Sn, для солнечных элементов

2020-03-17
Электропроводность структур GaAs/GaAs с прямым соединением на пластинах для тандемных солнечных элементов на основе пластин

2020-03-09

SiC 4H,6H,Wafer Specification

2018-03-15

предыдущий : Types and Uses of GaAs Devices
следующий: Ge Single Crystals and Wafer Specification

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.

Подписывайтесь на нас

горячие теги

Контактная информация

Wafer Foundry: 26-32#, Liamei Rd. Lianhua Industrial Area, Tong an, Xiamen 361100, China

luna@powerwaywafer.com
powerwaymaterial@gmail.com
+86-592-5601 404

присоединиться к нашему сообществу

linkin

Copyright © 2012 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. All Copy Right Reserved.

Контактная информация
luna@powerwaywafer.com
powerwaymaterial@gmail.com
+86-592-5601 404

теперь говорите свяжитесь с нами & nbsp;