Главная / список пластин /

галлиевая полупроводниковая пластина

список пластин

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

галлиевая полупроводниковая пластина

2017-12-22

галлиевая полупроводниковая пластина

gaas wafer подложка - арсенид галлияwww.semiconductorwafers.netwww.semiconductorwafers.net
количество материал ориентации. диаметр толщина полировать удельное сопротивление тип легирующей примеси Северная Каролина мобильность EPD
штук (Мм) (Мкм) Ω · см \u0026 ЕПРС; а / см3 см2 / против / см2
1-100 СаАз ( 100 ) +25,4 4000 ± 50 дсп \u0026 GT; 1e7 нелегированный н / н / \u0026 Lt; 1e5
1-100 СаАз ( 100 ) 50,7 350-370 подвид \u0026 GT; 1e7 нелегированный н / \u0026 GT; 3500 \u0026 Л; 10000
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,50 от (011) 50,7 350 ± 10 подвид (0.8-9) е -3 п / Si (8) е17 2000-3000 \u0026 Л; 5000
1-100 СаАз (100) 6 ° ± 0,50 от (011) 50,7 350 ± 20 подвид (0.8-9) × 10 -3 п / Si (0,2-4) е18 ≥1000 ≤5000
1-100 СаАз ( 100 ) 50,8 350 подвид н / р / гп (1-5) E19 н / \u0026 Л; 5000
1-100 СаАз ( 100 ) 50,8 5000 ± 50 подвид \u0026 GT; 1E8 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз ( 100 ) 50,8 4000 ± 50 подвид \u0026 GT; 1e7 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз ( 100 ) 50,8 8000 ± 10 как вырезать \u0026 GT; 1e7 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз ( 100 ) 50,8 8000 ± 10 дсп \u0026 GT; 1e7 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз (100) 2 ° 50,8 3000 подвид \u0026 GT; 1e7 п / Si н / н / н /
1-100 СаАз ( 100 ) 50,8 350 ± 25 подвид \u0026 GT; 1e7 н / (1-5) E19 н / н /
1-100 СаАз ( 100 ) 50,8 350 ± 25 подвид н / н / (0.4-3.5) е18 ≥1400 ≤100
1-100 СаАз (100) 0 ° или 2 ° 76,2 130 ± 20 дсп н / нелегированный н / н / \u0026 Л; 10000
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,50 76,2 350 ± 25 подвид н / п / Si (0,4-2,5) е18 н / ≤5000
1-100 СаАз ( 100 ) 76,2 350 ± 25 подвид н / н / н / н / н /
1-100 СаАз ( 100 ) 76,2 350 ± 25 подвид \u0026 GT; 1e7 нелегированный н / н / ≤8e4 или 1e4
1-100 СаАз ( 100 ) 76,2 625 ± 25 дсп \u0026 GT; 1e7 нелегированный н / ≥4500 ≤8e4 или 1e4
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,10 от к (110) 76,2 500 подвид \u0026 GT; 1e7 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз (100) 2 ° 100 625 дсп \u0026 GT; 1e7 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз (100) 2 ° 100 625 ± 25 дсп н / н / н / н / н /
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,50 от (011) 100 350 ± 25 подвид н / п / Si (0.4-3.5) е18 н / ≤5000
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,10 от к (110) 100 625 ± 25 дсп (1-4) е18 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,50 от (011) 100 625 ± 25 дсп (1,0-4,0) 1E8 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,50 от (011) 100 625 ± 25 дсп (1-4) E8 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,50 от (011) 100 350 ± 25 подвид н / п / Si (0,4-4) е18 н / ≤5000
1-100 СаАз (100) 15 ° ± 0,50 от (011) 100 350 ± 25 подвид н / п / Si (0,4-4) е18 н / ≤5000
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,50 100 350 ± 25 дсп н / п / Si (0,4-4) е18 н / ≤5000
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,50 100 625 ± 25 подвид (1-4) е18 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз (100) 2 ° ± 0,50 150 675 ± 25 дсп \u0026 GT; 1e7 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз (100) 0 ° ± 3,0 ° 150 675 ± 25 дсп \u0026 GT; 1,0 × 107 нелегированный н / н / н /
1-100 СаАз ( 310 ) 50,8 / 76,2 н / н / н / н / н / н / н /

как поставщик фанеры gaas, мы предлагаем список полупроводников gaas для вашей справки, если вам нужна подробная информация о ценах, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж

заметка:

*** как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного завода.

*** срок поставки: это зависит от наличия у нас запаса, если у нас есть запас, мы можем отправить вам в ближайшее время. *** Мы предлагаем услуги эпитаксии gaas по mbe и mocvd, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж.


подложка из газовой подложки - антимонид галлия
количество материал ориентации. диаметр толщина полировать удельное сопротивление тип легирующей примеси Северная Каролина мобильность EPD
штук (Мм) (Мкм) Ω · см \u0026 ЕПРС; а / см3 см2 / против / см2
1-100 GaSb (100) ± 0,5 50,8 500 ± 25 подвид н / тэ 1e17 - 5e18 н / \u0026 Lt; 1000
1-100 GaSb (111) а ± 0,5 50,8 500 ± 25 подвид н / тэ 1e17 - 5e18 н / \u0026 Lt; 1000
1-100 GaSb (111) б 50,8 н / н / н / тэ (5-8) е17 н / н /
1-100 GaSb (111) б 50,8 н / н / н / нелегированный никто н / н /
1-100 GaSb (100) ± 0,5 50,8 500 подвид н / п/ (1-5) e17cm-3 н / н /
1-100 GaSb (100) ± 0,5 50,8 500 подвид н / н / (1-5) e17cm-3 н / н /
1-100 GaSb (100) ± 0,5 50,8 500 подвид н / п / те (1-8) E17 / (2-7) е16 н / \u0026 Lt; 1000
1-100 GaSb ( 100 ) 50,8 450 ± 25 подвид н / н / (1-1,2) е17 н / н /
1-100 GaSb ( 100 ) 50,8 350 ± 25 подвид н / н / н / н / н /
1-100 GaSb ( 100 ) 76,8 500-600 н / н / нелегированный никто н / н /
1-100 GaSb ( 100 ) 100 800 ± 25 дсп н / р / гп н / н / н /
1-100 GaSb ( 100 ) 100 250 ± 25 н / н / р / ZnO н / н / н /

как поставщик газовой пластины, мы предлагаем список газовых баллонов для вашей справки, если вам нужна подробная информация о ценах, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж


заметка:

*** как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного завода.

*** срок поставки: это зависит от наличия у нас запаса, если у нас есть запас, мы можем отправить вам в ближайшее время.


промежуточный пластинчатый субстрат-галлий-позифин
количество материал ориентации. диаметр толщина полировать удельное сопротивление тип легирующей примеси Северная Каролина мобильность EPD
штук (Мм) (Мкм) Ω · см \u0026 ЕПРС; а / см3 см2 / против / см2
1-100 разрыв ( 111 ) 50 5000 ± 20 подвид н / N н / н / н /
1-100 разрыв (111) ± 0,5 ° 50 ± 0,5 300 ± 20 н / н / s (2 ~ 7) × 1e17 ≥100 \u0026 Lt; 3 × 1e5
1-100 разрыв (111) ± 0,5 ° 50 ± 0,5 300 ± 20 н / н / тэ (1 ~ 2) × 1e17 ≥100 \u0026 Lt; 3 × 1e5

как поставщик пластин зазора, мы предлагаем список полупроводниковых зазоров для вашей справки, если вам нужна подробная информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж


заметка:

*** как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного завода.

*** срок поставки: это зависит от наличия у нас запаса, если у нас есть запас, мы можем отправить вам в ближайшее время.





свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.