нитридная полупроводниковая пластина
свободно стоящий нитрид галлия | |||||||
предмет номер. | тип | ориентация | толщина | класс | микродефект плотность | поверхность | полезная площадь |
\u0026 ЕПРС; | п-типа | ||||||
РАМ-фс-gan50-н | 2 \"n типа | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
РАМ-фс-gan45-н | диаметр 45 мм, тип n | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
РАМ-фс-gan40-н | dia.40mm, n тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
РАМ-фс-gan38-н | dia.38mm, n тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
РАМ-фс-gan25-н | dia.25.4mm, п тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
РАМ-фс-gan15-н | 14мм * 15мм, н тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
РАМ-фс-gan10-н | 10mm * 10.5mm, п тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
РАМ-фс-gan5-н | 5 мм * 5,5 мм, n тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
\u0026 ЕПРС; | полуизолирующих | ||||||
Пэм фс-gan50-си | 2 \"n типа | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
Пэм фс-gan45-си | диаметр 45 мм, тип n | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
Пэм фс-gan40-си | dia.40mm, n тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
Пэм фс-gan38-си | dia.38mm, n тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
Пэм фс-gan25-си | dia.25.4mm, п тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
Пэм фс-gan15-си | 14мм * 15мм, н тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
Пэм фс-gan10-си | 10mm * 10.5mm, п тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
Пэм фс-gan5-си | 5 мм * 5,5 мм, n тип | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | а / б | 0 / \u0026 л; 2 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
шаблон нитрида галлия, шаблон aln, шаблон ingan, algan шаблон | |||||||
предмет номер. | тип | ориентация | толщина | класс | вывих плотность | поверхность | полезная площадь |
П-76-ган-трет-п | шаблон gan, n тип | 0 ° ± 0,5 ° | 20/30/40 мкМ | / | \u0026 Л; 1x10 ^ 8 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
П-50-ган-трет-п | шаблон gan, n тип | 0 ° ± 0,5 ° | 20/30/40 мкМ | / | \u0026 Л; 1x10 ^ 8 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
П-50-ган-трет-р | шаблон gan, p тип | 0 ° ± 0,5 ° | 2um | / | / | p / p или p / l | \u0026 GT; 91% |
П-50-ган-трет-си | ган Шаблон, полуизолирующий | 0 ° ± 0,5 ° | 30 / 90um | / | \u0026 Л; 1x10 ^ 8 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
П-50-AlN-трет-си | AlN Шаблон, полуизолирующий | 0 ° ± 0,5 ° | 1um | / | / | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
П-50-InGaN-трет-си | шаблон ingan | 0 ° ± 0,5 ° | 100-200nm | / | 10 ^ 8 / см2 | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
П-50-AlGaN-трет-си | шаблон algan | 0 ° ± 0,5 ° | 1-5um | / | * | p / p или p / l | \u0026 GT; 90% |
нитрид галлия epi wafer (светодиодная пластина) | |||||||
предмет номер. | тип | ориентация | толщина | класс | длина волны | поверхность | полезная площадь |
\u0026 ЕПРС; | п-типа | ||||||
pam-50-gan-epi- blue-f | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 445-475nm | р / л | \u0026 GT; 90% |
Пэй-50-ган-эпи-сине-PSS | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 445-475nm | р / л | \u0026 GT; 90% |
П-50-ган-эпи-зелено-е | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 510-530nm | р / л | \u0026 GT; 90% |
П-50-ган-эпи-зелено-PSS | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 510-530nm | р / л | \u0026 GT; 90% |
нитрид галлия | |||||||
предмет номер. | упак | выходная мощность | прямое напряжение | класс | длина волны | град. | FWHM |
Пэй-ган-LED-уф-265 | 03wg / СМД / to39 | / | / | / | 265 нм +/- 3nm | / | 10нм |
РАМ-ган-LED-UV-280 | 03wg / СМД / to39 | / | 6,8-7,5 | / | 280 нм +/- 3nm | 140/60 | 10нм |
РАМ-ган-LED-UV-310 | 03wg / СМД / to39 | / | 6.5-7.2 | / | 310nm +/- 3nm | 140/60 | 10нм |
заметка:
*** как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного завода.
*** срок поставки: это зависит от наличия у нас запаса, если у нас есть запас, мы можем отправить вам в ближайшее время.