xiamen powerway advanced material co., ltd., ведущий поставщик inasp слой и другие сопутствующие продукты и услуги объявили, что новая доступность размера 2 \"-4\" находится в массовом производстве в 2017 году. Этот новый продукт представляет собой естественное дополнение к линейке продуктов pam-xiamen.

др. шака, сказал: «Мы рады предложить inasp для наших клиентов, в том числе для многих, кто лучше и надежнее развивается для скрытой решетки лазеров с распределенной обратной связью (dfb). наш inasp слой обладает превосходными свойствами, размер inasp слой может регулироваться высотой гофрировки, а состав мышьяка в inasp слой может контролироваться золой / вспомогательным 3 / парциальным давлением. результаты tem, eds и pl показывают, что inp подходит как буферный слой между inasp слой и mqw активный слой. изготовленных 1,3 / spl mu / m dfb-лазеров, которые имеют inasp как поглощающая решетка, показали низкий пороговый ток и высокую эффективность склона от -40- + 85 / spl deg / c, и была продемонстрирована высокая надежность. доступность улучшает процессы роста буферов и вафли ».« Наши клиенты теперь могут извлечь выгоду из увеличения производительности устройства, ожидаемого при разработке продвинутых транзисторов на квадратной подложке. наш inasp слой являются естественными продуктами наших постоянных усилий, в настоящее время мы посвящаем себя непрерывному развитию более надежных продуктов ».

улучшен пэм-сямэнь inasp продуктовая линейка выиграла от сильных технологий. поддержка отечественного университета и лабораторного центра.

теперь он показывает пример следующим образом:

о xiamen powerway advanced material co., ltd

найденный в 1990 году, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) является ведущим производителем композитного полупроводникового материала в Китае. pam-xiamen развивает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, инженерные субстраты и полупроводниковые приборы. Технологии pam-xiamen позволяют повысить производительность и снизить затраты на изготовление полупроводниковой пластины.

около inasp

роста кристаллов и характеристик материала inasp напряженными структурами квантовой ямы и его применением к 1,3-миллиметровым лазерам были исследованы с точки зрения уменьшения порогового тока и высокой температуры. флуктуация толщины слоя, вызванная большой упругой деформацией, может быть устранена путем уменьшения температуры роста. хотя ожидается, что температурная зависимость порогового тока будет улучшена за счет разрыва зоны большой проводимости inasp , небольшое количество скважины из-за критической толщины слоя компенсирует улучшение. чтобы избежать этой проблемы, были применены растянутые деформационные глянцевые барьеры, а также очень тонкие промежуточные слои inp. устройство с inasp / inp / ingap / inp тройной квантовой ямой как активная область показало низкую пороговую плотность тока 300 а / см2, а уменьшение пороговой плотности тока устройства было значительным в более короткой области длины полости. подтверждается, что гнойный барьер вместо обычного годового запаса эффективен при удержании носителей, если активная область имеет небольшое количество колодцев. наивысшая характеристическая температура t 0 117 k также сообщалась в аналогичной структуре устройства. кроме этих превосходных характеристик, хорошая характеристика старения вертична. очень малое изменение рабочего тока для получения 10 мВт при 50 ℃ подтверждено как для деформированных, так и с компенсацией деформации лазеров inasp / gainasp.

д \u0026 амп;

q: градуированный inasp буферный слой (тип 1-5um), n + допированный, какова концентрация легирования.

a: 0,1-1,0e18

q: слой ingaas, 2-3um - 1.9um cutoff, что является точной толщиной?

a: 3,0um

д: в s п слой, 0,5-1 мкм - решетка, соответствующая слою ingaas

а: inasp буферный слой имеет основную функцию для уменьшения плотности дислокаций в материале, толщина должна следовать из вашей внутренней работы

q: какова шероховатость поверхности?

a: мы никогда не характеризовали этот материал в сторону шероховатости, поскольку он имеет поперечный люк, электрические характеристики обработанного материала по отношению к контактным диодам (темный ток) гораздо важнее наша шероховатость должна быть примерно равной ra = 10 нм

q: что такое epd? epd \u0026 lt; = 500 / см2

a: подложка epd должна быть \u0026 lt; = 500 / см2, эпд общей пластины \u0026 lt; = 10 6 / см 2

q: что такое количество?

a: для оценки: 2 или 3, после квалификации: 5-10

q: Не могли бы вы посоветовать ориентацию субстрата?

a: аналогичное замечание, касающееся inasp буферный слой и шероховатость, другой поставщик использовал (100) 2deg off +/- 0,1, наша ориентация подложки должна быть (100) +/- 0,5deg.

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: http://www.semiconductorwafers.net ,

s завершите нас по электронной почте angel.ye@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com ,