Q: плотность дислокаций <1e8 гана на сапфире от какой характеристики?

что ты ищешь?

luna@powerwaywafer.com

powerwaymaterial@gmail.com

Главная / Сервисы / Вопросы-Ответы / эпитаксии /

q: плотность дислокаций <1e8 гана на сапфире от какой характеристики?

эпитаксии

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

Теория функционала плотности Расчеты атомных конфигураций и ширины запрещенной зоны кристаллов Si, легированных C, Ge и Sn, для солнечных элементов

2020-03-17
Электропроводность структур GaAs/GaAs с прямым соединением на пластинах для тандемных солнечных элементов на основе пластин

2020-03-09

q: плотность дислокаций <1e8 гана на сапфире от какой характеристики?

2017-12-28

q: плотность дислокаций \u0026 lt; 1e8 gan на сапфире из какой характеристики?

a: учитывая краевую дислокацию и смещение дислокации, а затем полученное xrd

предыдущий : gaas epi wafer для ir led
следующий: q: какова максимальная температура и самый высокий тепловой удар, который могут выдерживать пластины?

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.

Подписывайтесь на нас

горячие теги

Контактная информация

Wafer Foundry: 26-32#, Liamei Rd. Lianhua Industrial Area, Tong an, Xiamen 361100, China

luna@powerwaywafer.com
powerwaymaterial@gmail.com
+86-592-5601 404

присоединиться к нашему сообществу

linkin

Copyright © 2012 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. All Copy Right Reserved.

Контактная информация
luna@powerwaywafer.com
powerwaymaterial@gmail.com
+86-592-5601 404

теперь говорите свяжитесь с нами & nbsp;