Главная / Новости /

монокристаллический рост и термоэлектрические свойства ge (bi, sb) 4te7

Новости

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

монокристаллический рост и термоэлектрические свойства ge (bi, sb) 4te7

2018-07-12

термоэлектрические свойства между 10 и 300 k и рост монокристаллы n-типа и p-типа ge Bi4te7, gesb4te7 и ge (bi1-xsbx) 4te7. монокристаллы выращивались по модифицированному методу Бриджмена, а поведение p-типа достигалось заменой bi на sb в gebi4te7.


термоэдс в твердом растворе ge (bi1-xsbx) 4te7 составляет от -117 до +160 мкв к-1. кроссовер от n-типа до p-типа является непрерывным с увеличением содержания sb и наблюдается при x ≈0.15. самая высокая термоэлектрическая эффективность среди испытуемых образцов n-типа и p-типа равна znt = 0,11 и zpt = 0,20 соответственно. для оптимальной пары n-p в этой системе сплавов составная фигура достоинства znpt = 0,17 при комнатной температуре.


Источник: iopscience


Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:www.semiconductorwafers.net ,

отправьте нам письмо по адресуangel.ye@powerwaywafer.com илиpowerwaymaterial@gmail.com




свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.