Для реализации высокопроизводительного карбида кремния ( SiC ), должны быть разработаны низкоомные омические контакты с p-образным SiC. Для уменьшения омического контактного сопротивления требуется снижение высоты барьера на границах металл / SiC или увеличение концентрации легирования на подложках SiC. Поскольку уменьшение высоты барьера чрезвычайно затруднено, увеличение концентрации легирования алюминия в 4H-SiC, методом ионной имплантации. Металлы Ti / Al и Ni / Ti / Al (где знак слэш / знак указывает последовательность осаждения) осаждались на подложки SiC, имплантированные алюминием. Путем сравнения экспериментальных и теоретических контактных сопротивлений механизм переноса тока через интерфейсы металл / SiC был заключен как термоэлектронное полевое излучение, а высота барьера составляла ~ 0,4 эВ. Хотя концентрация дырок увеличивалась с увеличением концентрации легирования Al в 4H-SiC, высота барьера на границах металл / SiC возрастала из-за высокой плотности дислокационных петель, наблюдаемых в имплантированных слоях SiC с помощью просвечивающей электронной микроскопии. В настоящих экспериментах предполагалось, что низкоомные омические контакты будут сформированы, когда будет разработан метод устранения дефектов кристалла, образованных на подложках 4H-SiC после ионной имплантации.

Источник: IOPscience

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:www.semiconductorwafers.ne т,

отправьте нам письмо по адресуangel.ye@powerwaywafer.com илиpowerwaymaterial@gmail.com