Рентгенографическое и химическое травление Si: Ge монокристаллы содержание 1,2 ат.% и 3,0 ат.% Ge вместе с точными измерениями параметров решетки. Дифракционные контрасты в виде концентрических «квазикругов» (полос), вероятно, из-за неоднородного распределения атомов Ge, наблюдались на проекционных топографах.

Образцы травления показали полосы, соответствующие полосам и дислокациям как ямы травления. Кристаллическая область центральной "сердцевины" (без исчерченности) имела кристаллическую решетку, сильно нарушенную микродефектами, как это было сделано из анализа топографии раздела. Измерения параметра решетки показали неоднородность распределения Атомы Ge через образцы.

Больше других лучших PAM-СЯМЫНЬ-х продукты как Германий Вафельный , Эпи Вафля , Эпитаксиальная вафля Добро пожаловать на наш сайт:semiconductorwafers.net

отправьте нам письмо наangel.ye@powerwaywafer.com или жеpowerwaymaterial@gmail.com