Полупроводниковые пластины Cd0,96Zn0,04Te (1 1 1), (1 1 0) Cd0,96Zn0,04Te и (1 1 1) Cd0,9Zn0,1Te, выращенные модифицированным вертикальным методом Бриджмена, с размерами 10 мм × 10 мм × 2,5 мм, раствор полигонального порошка Al2O3 размером 2–5 мкм, а затем химически механически полируется раствором кислоты, имеющим наночастицы диаметром около 5 нм, что соответствует шероховатости поверхности Ra 2,135 нм, 1,968 нм и 1,856 нм. Твердость и модуль упругости монокристаллов (1 1 1), (1 1 0) Cd0,96Zn0,04Te и (1 1 1) Cd0,9Zn0,1Te составляют 1,21 ГПа, 42,5 ГПа; 1,02 ГПа, 44,0 ГПа; и 1,19 ГПа, 43,4 ГПа соответственно. После нанорезки наноиндентором Берковича шероховатость Ra монокристалла (1 1 1) Cd0,9Zn0,1Te достигает сверхгладкой поверхности 0,215 нм. Твердость и модуль упругости трех видовМонокристаллы CdZnTe уменьшаются с увеличением нагрузки на вдавливание. Когда наноиндентор отрывается от поверхности кристаллов, эффекты прилипания очевидны для трех видов монокристаллов. Это связано с поведением пластического прилипания материала CdZnTe на наноуровне. Когда нагрузка при вдавливании трех видов монокристаллов CdZnTe находится в диапазоне 4000–12 000 мкН, прилипший материал CdZnTe на наноинденторе падает на поверхность и скапливается вокруг наноиндентера.

Источник: IOPscience

Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт:  www.semiconductorwafers.net ,

отправьте нам электронное письмо по адресу  sales@powerwaywafer.com  и  powerwaymaterial@gmail.com