В попытке создать гетерограницу InP-Si был изучен новый и общий метод, метод гофрированного эпитаксиального бокового наращивания (CELOG) в реакторе гидридной парофазной эпитаксии. Затравочный слой InP на Si(0 0 1) был сформирован в виде близко расположенных вытравленных меза-полосок, обнажая поверхность кремния между ними. Поверхность с полосками мезы напоминает рифленую поверхность. Верх и боковые стенки меза-полосок затем покрывались маской из SiO2, после чего формировались отверстия для линий поверх меза-полосок. На этой гофрированной поверхности осуществлялся рост InP. Показано, что рост InP происходит выборочно из отверстий, а не на открытой поверхности кремния, а постепенно распространяется в стороны, создавая прямой интерфейс с кремнием, отсюда и название CELOG. Мы изучаем поведение роста, используя параметры роста. Боковой рост ограничен граничными плоскостями с высоким индексом {3 3 1} и {2 1 1}. Атомное расположение этих плоскостей, Показано, что зависимое от кристаллографической ориентации включение легирующей примеси и пересыщение газовой фазы влияют на степень латерального роста. Достигается соотношение скорости поперечного и вертикального роста до 3,6. Рентгеноструктурные исследования подтверждают существенное улучшение качества кристаллов CELOG InP по сравнению с затравочным слоем InP. Исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии выявили образование прямой гетерограницы InP–Si с помощью CELOG без прорастающих дислокаций. Хотя показано, что CELOG позволяет избежать дислокаций, которые могут возникнуть из-за большого несоответствия решеток (8%) между InP и Si, в слое можно увидеть дефекты крепления. Они, вероятно, вызваны шероховатостью поверхности кремния или маски SiO2, что, в свою очередь, было бы следствием начальных технологических обработок.

Источник: IOPscience

Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net ,

отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com