Для оценки свойств переноса заряда выращенных кристаллов CdZnTe с высоким сопротивлением, легированных In/Al, был измерен спектроскопический отклик α-частиц с использованием неколлимированного радиоактивного источника 241Am (5,48 МэВ) при комнатной температуре. Произведения времени жизни подвижности электронов (μτ)e кристаллов CdZnTe были предсказаны путем подгонки графиков зависимости положения фотопика от напряженности электрического поля с использованием уравнения Хехта для одного носителя. Метод TOF был использован для оценки подвижности электронов для кристаллов CdZnTe.. Подвижность была получена путем подгонки скоростей дрейфа электронов в зависимости от напряженности электрического поля, где скорости дрейфа были получены путем анализа распределения времени нарастания импульсов напряжения, формируемых предусилителем. Изготовленный планарный детектор CdZnTe на основе кристалла CdZnTe, легированного индием, с (μτ)e = 2,3 × 10–3 см2/В и μe = 1000 см2/(В точка мс) соответственно, демонстрирует превосходное спектральное разрешение γ-излучения. 6,4% (FWHM = 3,8 кэВ) для неколлимированного изотопа 241Am @ 59,54 кэВ.

Источник: IOPscience

Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , 

отправьте нам электронное письмо по адресу  sales@powerwaywafer.com  или  powerwaymaterial@gmail.com