Мы провели селективный рост GaN и изготовили МКЯ InGaN/GaN на неполярных и полуполярных объемных подложках GaN методом MOVPE. Исследованы различия в структурах GaN и включения In МКЯ InGaN/GaN, выращенных на неполярных и полуполярных подложках GaN . В случае селективного зонального роста были получены различные структуры GaN на GaN, GaN и подложках GaN.. На GaN появился повторяющийся рисунок и грани. Затем мы изготовили МКЯ InGaN/GaN на фасетных структурах на GaN. Эмиссионные свойства, характеризуемые катодолюминесценцией, различались для граней и . С другой стороны, для МКЯ InGaN/GaN на неполярных и полуполярных подложках GaN с помощью АСМ наблюдались ступеньки вдоль оси a. В частности, на GaN появились ондуляции и группировка волн. Характеристика фотолюминесценции показала, что включение In увеличивалось с отклонением от m-плоскости, а также зависело от полярности.
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
