Основные моменты

• для уменьшения текущего пути на солнечных батареях gaas / si использовалась утопленная структура.

• связанное последовательное сопротивление было уменьшено за счет утопленной структуры.

• потери рекомбинации носителей были улучшены благодаря пирамидальной утопленной структуре.

в этом исследовании эпитаксиальные слои солнечных элементов, основанных на газе, выращивались на s-подложках с использованием молекулярно-пучковой эпитаксиальной системы. пирамида, подобная сквозной конструкции с дырочным углублением, была изготовлена ​​на обратной стороне подложки si для улучшения характеристик полученных солнечных элементов. так как текущий путь был эффективно уменьшен за счет сквозной сквозной дырочной структуры, связанное последовательное сопротивление и потеря рекомбинации несущей в результате образования солнечных элементов gaas / si уменьшались. следовательно, повышение эффективности преобразования 21,8% солнечных элементов гааса / si с помощью сквозной сквозной структуры было получено за счет улучшения плотности тока короткого замыкания и коэффициента заполнения по сравнению с обычными солнечными батареями gaas / si.

ключевые слова

gaas / si солнечные элементы; низкотемпературный метод атомного слоя эпитаксии; молекулярно-лучевая эпитаксиальная система; дырочная утопленная структура

Источник: ScienceDirect

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт : www.powerwaywafer.com , отправьте нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com ,