другие вафли lsat wafer количество материал ориентации. размер толщина полировать удельное сопротивление тип легирующей примеси простая квартира EPD ра штук (Мм) (Мкм) Ω · см \u0026 ЕПРС; ориентация / см2 нм 1-100 ПОСЛЕДНИЙ (100) 50,8 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 ПОСЛЕДНИЙ (100) 10х10 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 ПОСЛЕДНИЙ (110) 10х10 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 ПОСЛЕДНИЙ (111) 10х10 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 ПОСЛЕДНИЙ (100) 10х10 2000 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 как поставщик lsat wafer, мы предлагаем список пластин lsat для вашей справки, если вам нужна подробная информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж заметка: *** как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного завода. *** срок поставки: это зависит от наличия у нас запаса, если у нас есть запас, мы можем отправить вам в ближайшее время. tio2 wafer количество материал ориентации. размер толщина полировать удельное сопротивление тип легирующей примеси простая квартира EPD ра штук (Мм) (Мкм) Ω · см \u0026 ЕПРС; ориентация / см2 нм 1-100 TiO2 (110) 5x5 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 TiO2 (011) 5x5 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 TiO2 (001) 10х10 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 TiO2 (110) 10х10 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 TiO2 (011) 10х10 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 как поставщик tio2 вафли, мы предлагаем список пластин tio2 для вашей справки, если вам нужна подробная информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж заметка: *** как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного завода. *** срок поставки: это зависит от наличия у нас запаса, если у нас есть запас, мы можем отправить вам в ближайшее время. lao wafer количество материал ориентации. размер толщина полировать удельное сопротивление тип легирующей примеси простая квартира EPD ра штук (Мм) (Мкм) Ω · см \u0026 ЕПРС; ориентация / см2 нм 1-100 лао (100) 50,8 500 ± 50 дсп н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 как поставщик lao wafer, мы предлагаем список lao wafer для вашей справки, если вам нужна подробная информация о ценах, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж заметка: *** как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного завода. *** срок поставки: это зависит от наличия у нас запаса, если у нас есть запас, мы можем отправить вам в ближайшее время. Пластина al2o3 количество материал ориентации. размер толщина полировать удельное сопротивление тип легирующей примеси простая квартира EPD ра штук (Мм) (Мкм) Ω · см \u0026 ЕПРС; ориентация / см2 нм 1-100 al2o3 (0001) 10х10 500 дсп н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 10х10 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 20х20 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 30х30 500 подвид н / н / н / н / \u0026 Л; 0,5 как поставщик п...
граффиновая система осаждения из паровой фазы мы предоставляем серию систем grapheme 2d для роста графема, cnt и других 2d материалов. и предлагают самую эффективную систему химического осаждения из паровой фазы (cvd) для роста графена (совместима как с ростом lpcvd, так и с apcvd). мы также можем настроить каждую из этих стандартных систем, которые могут быть настроены в соответствии с конкретными требованиями пользователя. системные конфигурации: 1) реакционная камера стандартная рабочая температура: ~ 1000 максимальная рабочая температура: ~ 1200 ° c. Номинальная мощность: 2,5 кВт. режим уплотнения: нержавеющая сталь экструзионное уплотнение быстрого фланца kf, режим охлаждения: внешнее водяное охлаждение. 2) газ и контроллер чистота: 99,999%; диапазон расхода: 0-1000 сантиметров; ч2 чистота: 99,999%; диапазон расхода: 0-200 сантиметров; чистая чистота 99,999%; диапазон расхода: 0-10 сек; 13ch4 * чистота 99%; диапазон расхода: 0-10 сек. (*необязательный) 3) вакуумная система механический насос: скорость откачки: 400 л / мин; базовое давление: 1 × 10-3 торр. жидкая азотная ловушка * (* необязательно) защита от избыточного давления регулятор вакуума: ручное управление давлением в камере. (* режим автоматического управления не является обязательным) 4) модули управления наше программное обеспечение для управления графеном cvd для управления процессом в реальном времени, регистрации и отображения данных, создания и редактирования рецептов. температура, расход и вакуумное давление легко контролируются или редактируются компьютером. (ручное управление по-прежнему доступно). для пользователей предоставляются заранее запрограммированные рецепты роста графена. наша цель: коммерциализация и массовое производство новых 2-х материалов, таких как графен, быстро становятся реальностью, а университеты и исследователи во всем мире находятся в ограниченном бюджете, но требуют высокой производительности своего оборудования или системы. Поэтому наша цель - обеспечить отличную систему grapheme cvd для рост графемы по самой низкой цене для достижения своей целевой цены. особенности: 1) полностью автоматически управляет системой с предварительно запрограммированными рецептами роста графена. 2) исходные процессы и amp; помощь в оптимизации 3) системы стандартизации или настройки для любого бюджета 4) высокопроизводительный монокристаллический графеновый рост в монокристаллическом размере до нескольких миллиметров 5) уникальный метод выращивания изотопов для исследования динамики 6) мы предлагаем профессиональные услуги по установке и обучению, чтобы помочь перевести наши продукты в вашу рабочую среду, включая техническое применение и передачу знаний. процесс установки начинается с подробного обзора рабочей области для определения ваших требований к установке и обучению, среды сайта, географии, сроков выполнения проекта и требований к отчетности. исходя из уникальных требований вашей системы, мы назначим правильных специалистов и техников по установке, чтобы успешно ...
граффиновые вафли / пленки граффиновые вафли / пленки предмет номер описание мг / домашнее животное-10-10 монослойный графен на пленочной пленке (10 мм x 10 мм) мг / домашнее животное-20-20 монослойный графен на пленочной пленке (20 мм x 20 мм) мг / домашнее животное-50-50 монослойный графен на пленочной пленке (50 мм x 50 мм) мг / домашнее животное-100-100 монослойный графен на пленочной пленке (100 мм x 100 мм) мг / домашнее животное-300-200 монослойный графен на пленочной пленке (30 0 мм х 200 мм) мг / домашнее животное-500-200 монослойный графен на пленочной пленке (500 мм x 200 мм) мг / SiO2 / Si-10-10 монослойный графен на sio2 / кремнии (10 мм x 10 мм) мг / SiO2 / Si-25-25 монослойный графен на sio2 / кремний (1 дюйм x 1 дюйм) мг / SiO2 / Si-100 монослойный графен на sio2 / кремний (пластина 100 мм) BG / sio2 / си-10-10 двухслойный графен на sio2 / кремний (10 мм x 10 мм) TG / SiO2 / Si-10-10 трехслойный графен на sio2 / кремний (10 мм x 10 мм) мг / куб-10-10 монослойный графен на меди (10 мм x 10 мм) мг / куб-20-20 монослойный графен на медь (20 мм x 20 мм) мг / куб-25-25 монослойный графен на меди (1 дюйм x 1 дюйм) мг / куб-50-50 монослое графена на куб (50 мм x 50 мм) мг / куб-100-50 монослое графена на ку (100 мм x 50 мм) мг / куб-100 монослойный графен на cu (100-миллиметровые пластины) мг / п-10-10 рост графена на никеле (10 мм x 10 мм) мг / п-20-20 рост графена на никеле (20 мм x 20 мм) мг / п-30-20 рост графена на никеле (30 мм x 20 мм) мг / п-50-20 рост графена на никеле (50 мм x 20 мм) Источник: РАМ-Сямынь Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: www.powerwaywafer.com, отправьте нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
кремниевая пластина si подложка подложки - кремний количество материал Orienta Тион. diamet эр thickne сс полировать resisti Vity ти pe dopant Северная Каролина моби Лити EPD штук (Мм) (мкм ) Ω · см \u0026 ЕПРС; а / см 3 см 2 / против /см 2 1-100 си н / +25,4 280 подвид 1-100 р / б н / н / н / 1-100 си н / +25,4 280 подвид 1-100 р / б (1-200) е16 н / н / 1-100 си (100) +25,4 525 н / \u0026 Л; 0,005 н / н / н / н / 1-100 си (100) +25,4 525 ± 25 подвид \u0026 Л; 0,005 н / н / н / н / 1-100 si с оксидом слой (100) +25,4 525 ± 25 подвид \u0026 Л; 0,005 н / н / н / н / 1-100 си (100) +25,4 350-500 подвид 1 ~ 10 н / н / н / н / 1-100 си (100) +25,4 400 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 п/ н / н / н / 1-100 си (100) 50,4 400 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 п/ н / н / н / 1-100 p-si с 90 нм sio2 (100) 50,4 500 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 п/ н / н / н / 1-100 n-si с 90 нм sio2 (100) 50,4 500 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 н / н / н / н / 1-100 p-si с 285 нм sio2 (100) 50,4 500 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 н / н / н / н / 1-100 n-si с 285 нм sio2 (100) 50,4 500 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 н / н / н / н / 1-100 si с электродами (100) 50,8 400 н / \u0026 Л; 0,05 п / р 1e14-1e15 н / н / 1-100 си (100) 50,8 275 подвид 1 ~ 10 н / н / н / н / 1-100 си (100) 50,8 275 ± 25 подвид 1 ~ 10 п / р н / н / н / 1-100 си (111) 50,8 350 ± 15 подвид \u0026 GT; 10000 н / н / н / н / 1-100 си (100) 50,8 430 ± 15 подвид 5000-8000 н / н / н / н / 1-100 си (111) 50,8 410 ± 15 подвид 1 ~ 20 н / н / н / н / 1-100 си (111) 50,8 400-500 подвид \u0026 GT; 5000 н / н / н / н / 1-100 си (100) 50,8 525 ± 25 подвид 1 ~ 50 н / н / н / н / 1-100 си (100) 50,8 500 ± 25 подвид 1 ~ 10 n p н / н / н / 1-100 си (100) 50,8 500 ± 25 р / р \u0026 GT; 700 п/ н / н / н / 1-100 си (100) 76,2 400 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 п/ н / н / н / 1-100 p-si с 90 нм sio2 (100) 76,2 500 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 п/ н / н / н / 1-100 n-si с 90 нм sio2 (100) 76,2 500 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 н / н / н / н / 1-100 p-si с 285 нм sio2 (100) 76,2 500 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 н / н / н / н / 1-100 n-si с 285 нм sio2 (100) 76,2 500 ± 25 п / э \u0026 Л; 0,05 н / н / н / н / 1-100 си (100) 100 625 подвид \u0026 GT; 10000 н / н / н / н / 1-100 си (100) 100 525 подвид н / п / р н / н / н / 1-100 си (100) 100 320 подвид \u0026 GT; 2500ohm · см р / б н / н / н / 1-100 си (100) 100 н / подвид 10 ~ 30 п / р н / н / н / 1-100 си (100) 100 505 ± 25 подвид 0.005-0.20 п / р-легированный н / н / н / 1-100 си (100) 100 381 подвид 0.005-0.20 п / р-легированный н / н / н / 1-100 си (100) 100 525 дсп 1-100 н / н / н / н / 1-100 си (100) 100 525 дсп 1-100 н / н / н / н / 1-100 си (100) 100 625 ± 25 подвид 0,001-0,004 н / н / н / н / 1-100 si с оксидом слой 3000a (100) 100 675 ± 25 подвид 0,001-0,004 н / н / н / н / 1-100 си (100) 100 625 ± 25 подвид 0,001-0,004 н / н / н / н / 1-100 си (100) 100 н / подвид н / р / б н / н / н / 1-100 си (100) 100 500 ± 25 подвид 1 ~ 25 н / н / н / н / 1-100 си (100) 100 500 подвид 1 ~ 10 п/ н / н / н / 1-100 си (100) 1...
подложки для осаждения пленки нитрида III-V кристалл состав т.пл. плотность решетка неправильная для gan тепловое расширение технология роста. . \u0026 Амп; максимальный размер стандартный размер подложки (мм) о с г / см 3 (10 -6 / К) так (Пример 6h) шестиугольный ~ 2700 3,21 3,5% атори. 10,3 CVD Ø2 \"x 0,3, Ø 3\" x0,3 a = 3.073 Å \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; 20x20x0.3,15x15x0.3 c = 15,117 Å \u0026 ЕПРС; Ø3“ 10x10x0.3,5x5x0.3 \u0026 ЕПРС; subl. \u0026 ЕПРС; 1 сторона поли полированная аль 2 о 3 шестиугольный 2030 3,97 14% атори. 7,5 CZ Ø50 x 0,33 a = 4,758 Å \u0026 ЕПРС; Ø25 x 0,50 c = 12,99 Å Ø2” 10x10x0.5 \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; 1 или 2 стороны, отполированные LiAlO 2 четырехугольный 1900 ~ 2,62 1,4% атори. / CZ 10x10x0.5 a = 5,17 Å Ø20 мм 1 или 2 стороны, отполированные c = 6,26 Å \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; Ligao 2 orthor. 1600 4,18 0,2% атори. / CZ 10x10x0.5 a = 5,406 Å Ø20 мм 1 или 2 стороны, отполированные б = 5.012Å \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; c = 6,379 Å \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; МдО кубический 2852 3,58 3% атори. 12,8 флюс 2 \"x2\" x 0,5 мм, Ø2 \"x 0,5 мм a = 4,216 Å \u0026 ЕПРС; 1 \"x1\" x 0,5 мм, Ø1 \"x 0,5 мм \u0026 ЕПРС; Ø2\" 10 x10x0,5 мм 1 или 2 стороны, отполированные миллигал 2 о 4 кубический 2130 3,6 9% атори. 7,45 CZ Ø2 \"x 0,5 a = 8,083 Å Ø2“ 10x10x0.5 \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; 1 или 2 стороны, отполированные ZnO hexag. 1975 5,605 2,2% атори. 2,9 гидротермический 20x20x0.5 a = 3,325 Å 20мм 1 или 2 стороны, отполированные c = 5,213 Å \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; ган шестиугольный \u0026 ЕПРС; 6,15 \u0026 ЕПРС; 5,59 \u0026 ЕПРС; 10x10x0.475mm \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; 5x5x0.475mm
подложки сверхпроводника кристалл состав т.пл. плотность тепловое расширение диэлектрическая постоянная технология роста. \u0026 Амп; Максимум. размер стандартная 1 или 2 стороны epi полированная пластина о с г / см 3 \u0026 ЕПРС; ПОСЛЕДНИЙ кубический 1840 6,74 10 22 CZ 20x20x0.5mm (LaAlO3) 0,3 - (sr2altao8) 0,7 a = 3,868 Å Ø35mm 10x10x0.5mm LaAlO3 rhombo. 2100 6,51 9,2 +24,5 CZ Ø3\" x0.5mm a = 3,790 Å Ø3\" Ø2\" x0.5mm c = 13,11 Å \u0026 ЕПРС; Ø1\" x0.5mm \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; 10x10x0.5mm МдО кубический 2852 3,58 12,8 9,8 флюс Ø2\" x0.5mm a = 4,21 Å Ø2\" 10x10x0.5mm ndgao3 orthor. 1600 7,57 7,8 25 CZ Ø2\" x0.5mm a = 5,43 Å Ø2\" 10x10x0.5mm b = 5,50 Å \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; c = 7,71 Å \u0026 ЕПРС; \u0026 ЕПРС; SrTiO3 кубический 2080 5,12 10,4 300 vernuil 10x10x0.5mm a = 3,90 Å Ø30mm srlaalo4 tetrag. +1650 +16,8 CZ 10x10x0.5mm a = 3,756 Å Ø20mm c = 12,63 Å \u0026 ЕПРС; Yalo 3 orthor. 1870 4,88 2 ~ 10 16`20 CZ 10x10x0.5mm a = 5,176 Å b = 5,307 Å Ø30mm c = 7,355 Å \u0026 ЕПРС; ЦСИ кубический ~ 2500 5,8 10,3 27 флюс Ø2\" x0.5mm a = 5,125 Å Ø2\" 10x10x0.5m
эпи / тонкая пленка на подложке gan субстрат / шаблон sio2 + si3n4 on подложка из кремниевой подложки GaAs / AlGaAs на подложке gaas (si) sic 4h фильм на 4-дюймовом субстрате aln тонкая пленка подложка алюминиевая пленка подложка нитрид кремния на подложке 7980 подложки la0.7sr0.3mno3 + pbzr (x) ti (1-x) o3 на подложке nb (srtio3) алмаз на подложке из кремниевой пластины проводящая пленка ( плоскозернистый нанонауг из серебра ) подложка fto пленка на подложках нитрид кремния на кремниевой подложке пленка подложки la0.5sr0.5tio3 au-покрытая кремниевая пластина / стеклянная подложка ge epi-film на подложке au (ориентированный поликристаллический) / cr / sio2 / si подложка пленка графена на подложке ni / sio2 / si au (ориентированный поликристаллический) / ti / sio2 / si pbzrxti 1-xo3 (pzt) подложка la0.7sr0.3mno3 + pbzr (х) Ti (1-х) O3 на подложке srtio3 серебро (ag) на подложке с подложкой mos2 epi на подложке sio2 / si Пленка подложки srmoo4 ba1 xsrxtio3 пленка на подложке (pt / ti / sio2 / si) подложка из стекла с соляным покрытием Пленка подложки srruo3 ito покрытое (sodalime) стекло / пластиковая подложка подложка с покрытием ni soi wafer (si на изоляторе ) субстрат tio2 с покрытием из стекла содали подложка из оксида нитрид бора на кремнии ito / zno coated стеклянная подложка из содалима пленка bifeo3 на подложке si + sio2 + ti (или tio2) + pt тонкопленочной подложки Скачать фильм ybco epi srtio3, laalo3, субстрат al2o3 yig epi film on субстрат ggg ceo2 epi thin пленка на подложке ysz фильм cu epi на si подложка ingaas epi on inp субстрат zno тонкая пленка на сапфировый субстрат sos (кремний на сапфир) подложки пленка zno / pt / ti на подложке zno on стекло / плавленого кварца zno / au / cr film на подложке пленка lanio3 подложка AlGaN субстрат / шаблон
одномодовый кристалл цео2 кристалл fe3o4 кристалл sno2 кристалл cu2o кристалл fe2o3 mno crystal кристалл prsco3 подложка кристалл ndsco3 подложка кристалл ndsco3 подложка кристалл gdsco3 подложка кристалл dysco3 подложка soi wafer ti terminal srtio3 Прессованный ( высокоориентированный пиролитический графит ) фильм zno / cal2o3 ain на сапфировой пластине
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
