в сегментах были выращены на вершинах гаасских островов, первоначально созданных каплеобразной эпитаксией на кремниевой подложке. мы систематически изучали пространство параметров роста для осаждения inas, определяя условия селективного роста на СаАз и для чисто аксиального роста. осевые сегменты были сформированы со своими боковыми стенками, повернутыми на 30 $ {{} ^ circ} $ по сравнению с базовы...
высоконапряженные субмонослойные наноструктуры Ge на GaSb были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и исследованы методом сверхвысокочастотной сканирующей туннельной микроскопии. достигнуты и исследованы четыре различные скорости покрытия наноструктур Ge на газовой балке. обнаружено, что рост ge на газовом топливе следует за 2-м режимом роста. кристаллическая решетка субмонослоя GE нанос...
в этой статье предлагается новый трехмерный (3d) фотолитография технологии для микропроцессорного процесса с высоким разрешением на волокнистой подложке. также представлен краткий обзор технологии литографии неплоской поверхности. предлагаемая технология в основном включает в себя микрообработку трехмерного модуля экспозиции и напыление тонких пленок сопротивления на волокно. 3D-модуль экспозиции ...
Изучены монокристаллы GaSb с легированием Te путем измерения эффектов Холла, инфракрасной (ИК) и фотолюминесценции (PL). Обнаружено, что GaSb n-типа с ИК-пропусканием может быть получена до 60% за счет критического контроля концентрации Те-легирования и электрической компенсации. Концентрация нативных акцепторных дефектов, по-видимому, невелика в Te-легированном GaSb по сравнению с нелегированными...
развитие силового полупроводникового рынка SiC и GaN Текущее состояние технологии и рынка SiC и тенденции развития в ближайшие несколько лет. Рынок устройств SiC является многообещающим. Продажа барьера Шоттки диоды созревают, а поставки MOSFET, как ожидается, значительно возрастут в течение следующих трех лет. По мнению аналитиков Yole Développement, SiC очень зрелые с точки зрения диодов, а GaN ...
В данной работе, используя полностью связанный трехмерный имитатор электротермического устройства, мы изучаем механизм снижения эффективности при работе с большими токами в плоской плоскости. гa N-светоизлучающие диоды (СВЕТОДИОД). В частности, было продемонстрировано улучшение снижения эффективности при использовании более толстых проводящих GaN-подложек. Во-первых, установлено, что локальный джо...
Ортогональные эксперименты роста пленок GaSb на GaAs подложка были разработаны и выполнены с использованием системы осаждения паров металлов и органических паров низкого давления (LP-MOCVD). Кристалличность и микроструктура полученных пленок были сравнительно проанализированы для достижения оптимальных параметров роста. Было продемонстрировано, что оптимизированная тонкая пленка GaSb имеет узкую п...
Мы улучшили эффективность фотопроводящих антенн (PCA) с использованием низкотемпературного GaAs (LT-GaAs). Мы обнаружили, что физические свойства фотопроводящих слоев LT-GaAs сильно влияют на характеристики генерации и обнаружения терагерцовых (ТГц) волн. В терагерцовой генерации двумя важными факторами являются высокая подвижность фотовозбужденных носителей и наличие нескольких кластеров мышьяка ...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
