Ортогональные эксперименты роста пленок GaSb на GaAs подложка были разработаны и выполнены с использованием системы осаждения паров металлов и органических паров низкого давления (LP-MOCVD). Кристалличность и микроструктура полученных пленок были сравнительно проанализированы для достижения оптимальных параметров роста. Было продемонстрировано, что оптимизированная тонкая пленка GaSb имеет узкую п...
Для однородных материалов метод ультразвукового погружения, связанный с процессом численной оптимизации, в основном на основе алгоритма Ньютона, позволяет определять упругие постоянные для различных синтетических и природных композиционных материалов. Тем не менее, основное ограничение существующей процедуры оптимизации возникает, когда рассматриваемый материал находится на границе однородной гипо...
Характеристики генерации в зависимости от температуры склеивания лазерного диода (LD) GaInAsP 1,5 мкм, выращенного на непосредственно связанной Подложка InP или же Si подложка были успешно получены. Мы изготовили InP подложка или Si-подложка с использованием метода прямого гидрофильного связывания при температурах 350, 400 и 450 ° C и нанесенного GaInAsP или InP двойные гетероструктурные слои на э...
Бесконтактный неразрушающий метод визуализации концентрации легирующей примеси с пространственным разрешением [2.2] N d и удельного электрического сопротивления ρ кремниевых пластин n- и p-типа.с использованием синхронизированных изображений керриграфии при различных интенсивностях лазерного излучения. Информация об амплитуде и фазе с участков пластин с известным удельным сопротивлением использова...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
