развитие силового полупроводникового рынка SiC и GaN Текущее состояние технологии и рынка SiC и тенденции развития в ближайшие несколько лет. Рынок устройств SiC является многообещающим. Продажа барьера Шоттки диоды созревают, а поставки MOSFET, как ожидается, значительно возрастут в течение следующих трех лет. По мнению аналитиков Yole Développement, SiC очень зрелые с точки зрения диодов, а GaN ...
В данной работе, используя полностью связанный трехмерный имитатор электротермического устройства, мы изучаем механизм снижения эффективности при работе с большими токами в плоской плоскости. гa N-светоизлучающие диоды (СВЕТОДИОД). В частности, было продемонстрировано улучшение снижения эффективности при использовании более толстых проводящих GaN-подложек. Во-первых, установлено, что локальный джо...
Для однородных материалов метод ультразвукового погружения, связанный с процессом численной оптимизации, в основном на основе алгоритма Ньютона, позволяет определять упругие постоянные для различных синтетических и природных композиционных материалов. Тем не менее, основное ограничение существующей процедуры оптимизации возникает, когда рассматриваемый материал находится на границе однородной гипо...
Характеристики генерации в зависимости от температуры склеивания лазерного диода (LD) GaInAsP 1,5 мкм, выращенного на непосредственно связанной Подложка InP или же Si подложка были успешно получены. Мы изготовили InP подложка или Si-подложка с использованием метода прямого гидрофильного связывания при температурах 350, 400 и 450 ° C и нанесенного GaInAsP или InP двойные гетероструктурные слои на э...
Был разработан вертикальный эпи-реактор с горячей стенкой, который позволяет одновременно достигать высокой скорости роста и однородности большой площади. Максимальная скорость роста 250 мкм / ч достигается при зеркальной морфологии при 1650 ° C. Под измененным эпи-реактор При этом достигается равномерность толщины 1,1% и однородность легирования 6,7% для области с радиусом 65 мм при сохранении вы...
Мы улучшили эффективность фотопроводящих антенн (PCA) с использованием низкотемпературного GaAs (LT-GaAs). Мы обнаружили, что физические свойства фотопроводящих слоев LT-GaAs сильно влияют на характеристики генерации и обнаружения терагерцовых (ТГц) волн. В терагерцовой генерации двумя важными факторами являются высокая подвижность фотовозбужденных носителей и наличие нескольких кластеров мышьяка ...
Дан обзор последних достижений в выращивании эпитаксиальных пленок SiC на Si. Обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для выращивания пленок SiC, исследуются их преимущества и недостатки. Основная идея и теоретическое обоснование нового метода синтеза эпитаксиальных пленок SiCна Си даются. Будет показано, что новый метод существенно отличается от классических метод...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
