интенсивность и интенсивность света рассеяния кислорода в cz-кремний кристаллы измеряются с помощью светорассеивающей томографии. численные данные, проясненные посредством измерений, обсуждаются в отношении количества осажденного кислорода. полученные здесь результаты хорошо согласуются с теоретическим анализом того, что осадки кислорода вызывают рассеяние света. информация, полученная с помощью с...
Изучены монокристаллы GaSb с легированием Te путем измерения эффектов Холла, инфракрасной (ИК) и фотолюминесценции (PL). Обнаружено, что GaSb n-типа с ИК-пропусканием может быть получена до 60% за счет критического контроля концентрации Те-легирования и электрической компенсации. Концентрация нативных акцепторных дефектов, по-видимому, невелика в Te-легированном GaSb по сравнению с нелегированными...
В данной работе, используя полностью связанный трехмерный имитатор электротермического устройства, мы изучаем механизм снижения эффективности при работе с большими токами в плоской плоскости. гa N-светоизлучающие диоды (СВЕТОДИОД). В частности, было продемонстрировано улучшение снижения эффективности при использовании более толстых проводящих GaN-подложек. Во-первых, установлено, что локальный джо...
Рентгенографическое и химическое травление Si: Ge монокристаллы содержание 1,2 ат.% и 3,0 ат.% Ge вместе с точными измерениями параметров решетки. Дифракционные контрасты в виде концентрических «квазикругов» (полос), вероятно, из-за неоднородного распределения атомов Ge, наблюдались на проекционных топографах. Образцы травления показали полосы, соответствующие полосам и дислокациям как ямы травлен...
Ортогональные эксперименты роста пленок GaSb на GaAs подложка были разработаны и выполнены с использованием системы осаждения паров металлов и органических паров низкого давления (LP-MOCVD). Кристалличность и микроструктура полученных пленок были сравнительно проанализированы для достижения оптимальных параметров роста. Было продемонстрировано, что оптимизированная тонкая пленка GaSb имеет узкую п...
Дан обзор последних достижений в выращивании эпитаксиальных пленок SiC на Si. Обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для выращивания пленок SiC, исследуются их преимущества и недостатки. Основная идея и теоретическое обоснование нового метода синтеза эпитаксиальных пленок SiCна Си даются. Будет показано, что новый метод существенно отличается от классических метод...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
