по-прежнему большой проблемой для полупроводниковых устройств является получение эффекта большого магнитосопротивления (mr) при малом магнитном поле при комнатной температуре. в настоящей работе фотоиндуцированные mr-эффекты при различных интенсивностях освещения при комнатной температуре исследуются в полуизолирующий арсенид галлия ( си-GaAs ) на основе ag / si-gaas / ag. устройство подвергается ...
процесс уменьшения плотности дислокаций в 3-дюймовом fe-легированном inp вафли описывается. процесс роста кристаллов представляет собой обычный жидкий инкапсулированный czochralsky (lec), но добавлены тепловые экраны для уменьшения теплового градиента в растущем кристалле. форма этих экранов была оптимизирована с помощью численного моделирования теплообмена и термомеханических напряжений. этот про...
интенсивность и интенсивность света рассеяния кислорода в cz-кремний кристаллы измеряются с помощью светорассеивающей томографии. численные данные, проясненные посредством измерений, обсуждаются в отношении количества осажденного кислорода. полученные здесь результаты хорошо согласуются с теоретическим анализом того, что осадки кислорода вызывают рассеяние света. информация, полученная с помощью с...
Для реализации высокопроизводительного карбида кремния ( SiC ), должны быть разработаны низкоомные омические контакты с p-образным SiC. Для уменьшения омического контактного сопротивления требуется снижение высоты барьера на границах металл / SiC или увеличение концентрации легирования на подложках SiC. Поскольку уменьшение высоты барьера чрезвычайно затруднено, увеличение концентрации легирования...
В данной работе, используя полностью связанный трехмерный имитатор электротермического устройства, мы изучаем механизм снижения эффективности при работе с большими токами в плоской плоскости. гa N-светоизлучающие диоды (СВЕТОДИОД). В частности, было продемонстрировано улучшение снижения эффективности при использовании более толстых проводящих GaN-подложек. Во-первых, установлено, что локальный джо...
Ортогональные эксперименты роста пленок GaSb на GaAs подложка были разработаны и выполнены с использованием системы осаждения паров металлов и органических паров низкого давления (LP-MOCVD). Кристалличность и микроструктура полученных пленок были сравнительно проанализированы для достижения оптимальных параметров роста. Было продемонстрировано, что оптимизированная тонкая пленка GaSb имеет узкую п...
Характеристики генерации в зависимости от температуры склеивания лазерного диода (LD) GaInAsP 1,5 мкм, выращенного на непосредственно связанной Подложка InP или же Si подложка были успешно получены. Мы изготовили InP подложка или Si-подложка с использованием метода прямого гидрофильного связывания при температурах 350, 400 и 450 ° C и нанесенного GaInAsP или InP двойные гетероструктурные слои на э...
Дан обзор последних достижений в выращивании эпитаксиальных пленок SiC на Si. Обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для выращивания пленок SiC, исследуются их преимущества и недостатки. Основная идея и теоретическое обоснование нового метода синтеза эпитаксиальных пленок SiCна Си даются. Будет показано, что новый метод существенно отличается от классических метод...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
