Рентгенографическое и химическое травление Si: Ge монокристаллы содержание 1,2 ат.% и 3,0 ат.% Ge вместе с точными измерениями параметров решетки. Дифракционные контрасты в виде концентрических «квазикругов» (полос), вероятно, из-за неоднородного распределения атомов Ge, наблюдались на проекционных топографах. Образцы травления показали полосы, соответствующие полосам и дислокациям как ямы травлен...
В данной работе, используя полностью связанный трехмерный имитатор электротермического устройства, мы изучаем механизм снижения эффективности при работе с большими токами в плоской плоскости. гa N-светоизлучающие диоды (СВЕТОДИОД). В частности, было продемонстрировано улучшение снижения эффективности при использовании более толстых проводящих GaN-подложек. Во-первых, установлено, что локальный джо...
развитие силового полупроводникового рынка SiC и GaN Текущее состояние технологии и рынка SiC и тенденции развития в ближайшие несколько лет. Рынок устройств SiC является многообещающим. Продажа барьера Шоттки диоды созревают, а поставки MOSFET, как ожидается, значительно возрастут в течение следующих трех лет. По мнению аналитиков Yole Développement, SiC очень зрелые с точки зрения диодов, а GaN ...
Для реализации высокопроизводительного карбида кремния ( SiC ), должны быть разработаны низкоомные омические контакты с p-образным SiC. Для уменьшения омического контактного сопротивления требуется снижение высоты барьера на границах металл / SiC или увеличение концентрации легирования на подложках SiC. Поскольку уменьшение высоты барьера чрезвычайно затруднено, увеличение концентрации легирования...
Облучение ионного пучка было рассмотрено как способ создания наноразмерных полупроводниковых столбчатых и конусообразных структур, но имеет недостаток в неточном размещении наноструктур. Мы сообщаем о методе создания и шаблонирования наноразмерных InAs спайки путем фокусированного ионного пучка (FIB) облучения как гомоэпитаксиальных пленок InAs, так и гетероэпитаксиальных InAs на подложках InP. Эт...
Изучены монокристаллы GaSb с легированием Te путем измерения эффектов Холла, инфракрасной (ИК) и фотолюминесценции (PL). Обнаружено, что GaSb n-типа с ИК-пропусканием может быть получена до 60% за счет критического контроля концентрации Те-легирования и электрической компенсации. Концентрация нативных акцепторных дефектов, по-видимому, невелика в Te-легированном GaSb по сравнению с нелегированными...
интенсивность и интенсивность света рассеяния кислорода в cz-кремний кристаллы измеряются с помощью светорассеивающей томографии. численные данные, проясненные посредством измерений, обсуждаются в отношении количества осажденного кислорода. полученные здесь результаты хорошо согласуются с теоретическим анализом того, что осадки кислорода вызывают рассеяние света. информация, полученная с помощью с...
в этой статье предлагается новый трехмерный (3d) фотолитография технологии для микропроцессорного процесса с высоким разрешением на волокнистой подложке. также представлен краткий обзор технологии литографии неплоской поверхности. предлагаемая технология в основном включает в себя микрообработку трехмерного модуля экспозиции и напыление тонких пленок сопротивления на волокно. 3D-модуль экспозиции ...
высоконапряженные субмонослойные наноструктуры Ge на GaSb были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и исследованы методом сверхвысокочастотной сканирующей туннельной микроскопии. достигнуты и исследованы четыре различные скорости покрытия наноструктур Ge на газовой балке. обнаружено, что рост ge на газовом топливе следует за 2-м режимом роста. кристаллическая решетка субмонослоя GE нанос...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
