Для реализации высокопроизводительного карбида кремния ( SiC ), должны быть разработаны низкоомные омические контакты с p-образным SiC. Для уменьшения омического контактного сопротивления требуется снижение высоты барьера на границах металл / SiC или увеличение концентрации легирования на подложках SiC. Поскольку уменьшение высоты барьера чрезвычайно затруднено, увеличение концентрации легирования...
Рентгенографическое и химическое травление Si: Ge монокристаллы содержание 1,2 ат.% и 3,0 ат.% Ge вместе с точными измерениями параметров решетки. Дифракционные контрасты в виде концентрических «квазикругов» (полос), вероятно, из-за неоднородного распределения атомов Ge, наблюдались на проекционных топографах. Образцы травления показали полосы, соответствующие полосам и дислокациям как ямы травлен...
Мы представляем бесконтактный метод для определения времени теплового отклика датчиков температуры, встроенных в пластины. В этом методе импульсная лампа освещает пятно на пластине периодическими импульсами; пятно находится на противоположной стороне от тестируемого датчика. Тепловая постоянная времени датчика затем получается из измерения его временного отклика вместе с теоретической моделью тепл...
Используя усиленное в плазме химическое осаждение из паровой фазы (PECVD) на частоте 13,56 МГц, на начальном этапе роста гидрированного микрокристаллического материала изготавливают затравочный слой. кремний германий (μc-Si1-xGex: H) i-слой. Влияние процессов высева на рост слоев µc-Si1-xGex: H i и производительность μc-Si1-xGex: H p-i-n однопереходные солнечные элементы исследуются. Применяя этот...
Мы улучшили эффективность фотопроводящих антенн (PCA) с использованием низкотемпературного GaAs (LT-GaAs). Мы обнаружили, что физические свойства фотопроводящих слоев LT-GaAs сильно влияют на характеристики генерации и обнаружения терагерцовых (ТГц) волн. В терагерцовой генерации двумя важными факторами являются высокая подвижность фотовозбужденных носителей и наличие нескольких кластеров мышьяка ...
Бесконтактный неразрушающий метод визуализации концентрации легирующей примеси с пространственным разрешением [2.2] N d и удельного электрического сопротивления ρ кремниевых пластин n- и p-типа.с использованием синхронизированных изображений керриграфии при различных интенсивностях лазерного излучения. Информация об амплитуде и фазе с участков пластин с известным удельным сопротивлением использова...
Дан обзор последних достижений в выращивании эпитаксиальных пленок SiC на Si. Обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для выращивания пленок SiC, исследуются их преимущества и недостатки. Основная идея и теоретическое обоснование нового метода синтеза эпитаксиальных пленок SiCна Си даются. Будет показано, что новый метод существенно отличается от классических метод...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
